IRF7207 全國供應商、價格、PDF資料

IRF7207詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET P-CH 20V 5.4A 8-SOIC

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：20V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：5.4A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：60 毫歐 @ 5.4A，4.5V

Id時的Vgs333th444（最大）：700mV @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：22nC @ 4.5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：780pF @ 15V

功率_最大：2.5W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應商設備封裝：8-SO

包裝：管件

IRF7207PBF詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET P-CH 20V 5.4A 8-SOIC

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：20V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：5.4A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：60 毫歐 @ 5.4A，4.5V

Id時的Vgs333th444（最大）：700mV @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：22nC @ 4.5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：780pF @ 15V

功率_最大：2.5W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應商設備封裝：8-SO

包裝：管件

IRF7207TR詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET P-CH 20V 5.4A 8-SOIC

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：20V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：5.4A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：60 毫歐 @ 5.4A，4.5V

Id時的Vgs333th444（最大）：700mV @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：22nC @ 4.5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：780pF @ 15V

功率_最大：2.5W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應商設備封裝：8-SO

包裝：帶卷 (TR)

IRF7207TRPBF詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET P-CH 20V 5.4A 8-SOIC

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：20V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：5.4A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：60 毫歐 @ 5.4A，4.5V

Id時的Vgs333th444（最大）：700mV @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：22nC @ 4.5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：780pF @ 15V

功率_最大：2.5W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應商設備封裝：8-SO

包裝：帶卷 (TR)

IRF7207TRPBF詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET P-CH 20V 5.4A 8-SOIC

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：20V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：5.4A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：60 毫歐 @ 5.4A，4.5V

Id時的Vgs333th444（最大）：700mV @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：22nC @ 4.5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：780pF @ 15V

功率_最大：2.5W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應商設備封裝：8-SO

包裝：剪切帶 (CT)

IRF7207TRPBF詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET P-CH 20V 5.4A 8-SOIC

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：20V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：5.4A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：60 毫歐 @ 5.4A，4.5V

Id時的Vgs333th444（最大）：700mV @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：22nC @ 4.5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：780pF @ 15V

功率_最大：2.5W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應商設備封裝：8-SO

包裝：Digi-Reel®

• OD123J

  通孔電阻器    Ohmite    軸向    RESISTOR 12K OHM .25W CARB COMP

• OM11031

  內電路編程器、仿真器以及調試器    NXP Semiconductors        DEBUGGER J-LINK JTAG

• OSTEM227150

  接線座 - 接頭，插頭和插口    On Shore Technology Inc        CONN TERM BLOCK 22POS 5MM

• IRF7207TRPBF

  FET - 單    International Rectifier    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET P-CH 20V 5.4A 8-SOIC

• OSTEX120000

  接線座 - 接頭，插頭和插口    On Shore Technology Inc        CONN PLUG HEADER 12PS 5MM

• PAT0603E1742BST1

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Thin Film    0603（1608 公制）    RES 17.4K OHM 0.15W 0.1% 0603

• OSTTS03515A

  接線座 - 接頭，插頭和插口    On Shore Technology Inc        TERM BLOCK PLUG 5.08MM 3POS

• OTX-433-HH-KF3-MS

  RF 接收器、發射器及收發器的成品裝置    Linx Technologies Inc        XMITTER KEYFOB 433MHZ 3 BUTTON

• OM11039

  通用嵌入式開發板和套件（MCU、DSP、FPGA、CPLD等）    NXP Semiconductors        EVAL BOARD FOR LPC1300

• OSTEM23A152

  接線座 - 接頭，插頭和插口    On Shore Technology Inc        CONN TERM BLOCK 23POS 7.5MM

• PAT0603E1822BST1

  芯片電阻 - 表面安裝    Vishay Thin Film    0603（1608 公制）    RES 18.2K OHM 0.15W 0.1% 0603

• OSTEZ035152

  接線座 - 接頭，插頭和插口    On Shore Technology Inc        CONN PLUG HEADER 3PS 5.08MM

• OTX-433-HH-LR8-HS

  RF 接收器、發射器及收發器的成品裝置    Linx Technologies Inc        XMITTER HS LNG-RANGE 433MHZ 8BTN

• OSTTS03A15D

  接線座 - 接頭，插頭和插口    On Shore Technology Inc        TERM BLOCK PLUG 7.5MM 3POS

• OM11077

  配件    NXP Semiconductors        MODULE DIMM LPC2478 ARM7