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IRF737LC 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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IRF737LC詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 300V 6.1A TO-220AB
系列:-
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:300V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:6.1A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:750 毫歐 @ 3.7A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:17nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:430pF @ 25V
功率_最大:74W
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-220-3
供應商設備封裝:TO-220AB
包裝:管件

IRF737LCL詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 300V 6.1A TO-262
系列:-
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:300V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:6.1A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:750 毫歐 @ 3.7A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:17nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:430pF @ 25V
功率_最大:74W
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-262-3,長引線,I²Pak,TO-262AA
供應商設備封裝:I2PAK
包裝:管件

IRF737LCPBF詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 300V 6.1A TO-220AB
系列:-
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:300V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:6.1A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:750 毫歐 @ 3.7A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:17nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:430pF @ 25V
功率_最大:74W
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-220-3
供應商設備封裝:TO-220AB
包裝:管件

IRF737LCS詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 300V 6.1A D2PAK
系列:-
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:300V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:6.1A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:750 毫歐 @ 3.7A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:17nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:430pF @ 25V
功率_最大:74W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
供應商設備封裝:D2PAK
包裝:管件

IRF737LCSTRL詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 300V 6.1A D2PAK
系列:-
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:300V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:6.1A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:750 毫歐 @ 3.7A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:17nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:430pF @ 25V
功率_最大:74W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
供應商設備封裝:D2PAK
包裝:帶卷 (TR)

IRF737LCSTRR詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 300V 6.1A D2PAK
系列:-
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:300V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:6.1A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:750 毫歐 @ 3.7A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:17nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:430pF @ 25V
功率_最大:74W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
供應商設備封裝:D2PAK
包裝:帶卷 (TR)

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