IRF7467詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:11A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:12 毫歐 @ 11A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:32nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:2530pF @ 15V
- 功率_最大:2.5W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應商設備封裝:8-SO
- 包裝:管件
IRF7467PBF詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:11A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:12 毫歐 @ 11A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:32nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:2530pF @ 15V
- 功率_最大:2.5W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應商設備封裝:8-SO
- 包裝:管件
IRF7467TR詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:11A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:12 毫歐 @ 11A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:32nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:2530pF @ 15V
- 功率_最大:2.5W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應商設備封裝:8-SO
- 包裝:帶卷 (TR)
IRF7467TRPBF詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:11A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:12 毫歐 @ 11A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:32nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:2530pF @ 15V
- 功率_最大:2.5W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應商設備封裝:8-SO
- 包裝:Digi-Reel®
IRF7467TRPBF詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:11A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:12 毫歐 @ 11A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:32nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:2530pF @ 15V
- 功率_最大:2.5W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應商設備封裝:8-SO
- 包裝:剪切帶 (CT)
IRF7467TRPBF詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:11A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:12 毫歐 @ 11A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:32nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:2530pF @ 15V
- 功率_最大:2.5W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應商設備封裝:8-SO
- 包裝:帶卷 (TR)
- FET - 單 International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) MOSFET N-CH 200V 1.2A 8-SOIC
- TVS - 晶閘管 Littelfuse Inc - SIDAC BI 180V 100A QFN 3X3 2L
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Analog Devices Inc 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) IC OPAMP GP PREC 8SOIC
- 時鐘/計時 - 可編程計時器和振蕩器 NXP Semiconductors 10-VFDFN 裸露焊盤 IC QUARTZ OSC 5.5V 10-HVSON
- 單二極管/整流器 Vishay General Semiconductor DO-204AL,DO-41,軸向 DIODE 1A 400V STD DO-41
- 接口 - I/O 擴展器 NXP Semiconductors 16-SOIC(0.295",7.50mm 寬) IC I/O EXPANDER I2C 8B 16SOIC
- 接口 - 編解碼器 Texas Instruments 32-VFQFN 裸露焊盤 IC AUDIO CODEC 16BIT SER 32VQFN
- 撥動開關 NKK Switches 689-BBGA 裸露焊盤 SW TOGGLE SPST LG BAT SLD LUG
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Linear Technology 8-DIP(0.300",7.62mm) IC PREC OPAMP LOW POWER 8-DIP
- 標簽,標記 TE Connectivity * LABEL METAL POLY 76.2X127.0MM
- 嵌入式 - 微控制器, Freescale Semiconductor 80-LQFP MCU 32BIT 128K FLASH 80-LQFP
- 接口 - 編解碼器 Texas Instruments 32-VFQFN 裸露焊盤 IC AUDIO CODEC 16BIT LP 32-QFN
- 接口 - I/O 擴展器 NXP Semiconductors 20-LSSOP(0.173",4.40mm 寬) IC I/O EXPANDER I2C 8B 20SSOP
- 單芯導線 General Cable/Carol Brand 689-BBGA 裸露焊盤 20 AWG 1C SOLID BC .052"
- FET - 單 International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) MOSFET N-CH 40V 9.4A 8-SOIC
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