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IRF7494PBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 150V 5.2A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：150V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：5.1A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：44 毫歐 @ 3.1A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：53nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1750pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SO; 包裝：管件

IRF7494TR詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 150V 5.2A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：150V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：5.2A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：44 毫歐 @ 3.1A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：54nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1750pF @ 25V; 功率_最大：3W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SO; 包裝：Digi-Reel®

IRF7494TR詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 150V 5.2A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：150V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：5.2A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：44 毫歐 @ 3.1A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：54nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1750pF @ 25V; 功率_最大：3W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SO; 包裝：剪切帶 (CT)

IRF7494TRPBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 150V 5.1A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：150V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：5.1A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：44 毫歐 @ 3.1A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：53nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1783pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SO; 包裝：帶卷 (TR)

IRF7494TRPBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 150V 5.1A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：150V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：5.1A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：44 毫歐 @ 3.1A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：53nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1783pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SO; 包裝：剪切帶 (CT)

IRF7494TRPBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 150V 5.1A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：150V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：5.1A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：44 毫歐 @ 3.1A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：53nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1783pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SO; 包裝：Digi-Reel®

JC26E-DRLE
存儲器 - PC 卡 - 連接器 JAE Electronics * CONN COMPACT FLASH LEFT EJECTOR
LNJ717W80RA
LED - 分立式 Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products 4-SMD，無引線; TSS-3 LED SOFT ORG/PURE GREEN/BLUE TSS
IRF7494PBF
FET - 單 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH 150V 5.2A 8-SOIC
LMC6064AIMX/NOPB
未定義的系列 Texas Instruments * IC OPAMP CMOS QUAD MICRPWR14SOIC
ECS-80-20-19A-TR
晶體 ECS Inc 2-SMD CRYSTAL 8.000MHZ 20PF SMD
LP2988IMM-3.8/NOPB
PMIC - 穩壓器 - 線性 Texas Instruments 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） IC REG LDO 3.8V .2A 8MSOP
IVS8-5H0-5H0-5H0-80-A
AC DC 轉換器 Emerson Network Power/Embedded Power IVS CONFIGURABLE POWER SUPPLY
JC26-FRRN
存儲器 - PC 卡 - 連接器 JAE Electronics * CONN COMPACT FLASH RIGHT EJECTOR
LB15WKG01-6B-JB
按鈕 NKK Switches SWITCH PUSH SPDT 0.4VA 28V
ECS-80-20-4X
晶體 ECS Inc HC49/US CRYSTAL 8.00 MHZ 20PF 49US
IVS8-5N0-5N0-3E0-3E0-A0-A
AC DC 轉換器 Emerson Network Power/Embedded Power IVS CONFIGURABLE POWER SUPPLY
JC26-FSLN
存儲器 - PC 卡 - 連接器 JAE Electronics * CONN COMPACT FLASH LEFT EJECTOR
LB15WKW01-28-BJ
按鈕 NKK Switches SWITCH PUSHBUTTON SPDT 3A 125V
LP2988IMX-2.5
PMIC - 穩壓器 - 線性 Texas Instruments 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC REG LDO 2.5V .2A 8-SOIC
LMC6081AIMX/NOPB
未定義的系列 Texas Instruments * IC OP AMP PREC CMOS SINGLE 8SOIC

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