IRF7555TR詳細規格
- 類別:FET - 陣列
- 描述:MOSFET 2P-CH 20V 4.3A MICRO8
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:2 個 P 溝道(雙)
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:20V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:4.3A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:55 毫歐 @ 4.3A,4.5V
- Id時的Vgs333th444(最大):1.2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:15nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1066pF @ 10V
- 功率_最大:1.25W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 寬)
- 供應商設備封裝:Micro8?
- 包裝:Digi-Reel®
IRF7555TR詳細規格
- 類別:FET - 陣列
- 描述:MOSFET 2P-CH 20V 4.3A MICRO8
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:2 個 P 溝道(雙)
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:20V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:4.3A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:55 毫歐 @ 4.3A,4.5V
- Id時的Vgs333th444(最大):1.2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:15nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1066pF @ 10V
- 功率_最大:1.25W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 寬)
- 供應商設備封裝:Micro8?
- 包裝:剪切帶 (CT)
IRF7555TRPBF詳細規格
- 類別:FET - 陣列
- 描述:MOSFET P-CH DUAL 20V 4.3A MICRO8
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:2 個 P 溝道(雙)
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:20V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:4.3A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:55 毫歐 @ 4.3A,4.5V
- Id時的Vgs333th444(最大):1.2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:15nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1066pF @ 10V
- 功率_最大:1.25W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 寬)
- 供應商設備封裝:Micro8?
- 包裝:Digi-Reel®
IRF7555TRPBF詳細規格
- 類別:FET - 陣列
- 描述:MOSFET P-CH DUAL 20V 4.3A MICRO8
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:2 個 P 溝道(雙)
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:20V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:4.3A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:55 毫歐 @ 4.3A,4.5V
- Id時的Vgs333th444(最大):1.2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:15nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1066pF @ 10V
- 功率_最大:1.25W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 寬)
- 供應商設備封裝:Micro8?
- 包裝:剪切帶 (CT)
IRF7555TRPBF詳細規格
- 類別:FET - 陣列
- 描述:MOSFET P-CH DUAL 20V 4.3A MICRO8
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:2 個 P 溝道(雙)
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:20V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:4.3A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:55 毫歐 @ 4.3A,4.5V
- Id時的Vgs333th444(最大):1.2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:15nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1066pF @ 10V
- 功率_最大:1.25W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 寬)
- 供應商設備封裝:Micro8?
- 包裝:帶卷 (TR)
- 嵌入式 - 微處理器 Freescale Semiconductor 783-BBGA,FCBGA IC MPU POWERQUICC III 783-FCPBGA
- FET - 單 International Rectifier DirectFET? 等容 S1 MOSFET N-CH 25V DIRECTFET S1
- FET - 單 International Rectifier 8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 寬) MOSFET P-CH 20V 4.3A MICRO8
- 連接器,互連器件 ITT Cannon CONN PLUG 6POS CABLE W/SKT
- 陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 0.039UF 50V 20% RADIAL
- 連接器,互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 55POS CBL MNT W/PINS
- AC DC 轉換器 Emerson Network Power/Embedded Power IVS CONFIGURABLE POWER SUPPLY
- 嵌入式 - 微處理器 Freescale Semiconductor 783-BBGA,FCBGA IC MPU PWRQUICC III 783-FCCBGA
- PMIC - 電壓基準 Texas Instruments IC VREF SHUNT PREC ADJ SOT-23-3
- 連接器,互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 55POS CBL MNT W/PINS
- 陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 0.039UF 100V 20% RADIAL
- AC DC 轉換器 Emerson Network Power/Embedded Power IVS CONFIGURABLE POWER SUPPLY
- 嵌入式 - 微處理器 Freescale Semiconductor 783-BBGA,FCBGA IC MPU POWERQUICC III 783-PBGA
- PMIC - 電壓基準 Texas Instruments IC VREF SHUNT PREC 1.225V SOT23
- FET - 單 International Rectifier 8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 寬) MOSFET N-CH 30V 5.6A MICRO8
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