91精品一区二区三区久久久久久_欧美一级特黄大片色_欧美一区二区人人喊爽_精品一区二区三区av

添加收藏夾 設為首頁 深圳服務熱線:13692101218  13751165337 網站地圖|企業名錄|IC詳細資料|熱門庫存|Pdf資料

51電子網Log圖片

IC供應PDF資料非IC供應

51電子網聯系電話:13692101218

當前位置:網站首頁 » 庫存索引651 » 型號"IRF7555TR"的供應信息

IRF7555TR 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
按地區:全部 | 廣東 | 深圳 | 汕頭 | 上海 | 北京 | 浙江 | 陜西 | 山東 | 江蘇 | 深圳外

IRF7555TR詳細規格

類別:FET - 陣列
描述:MOSFET 2P-CH 20V 4.3A MICRO8
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:2 個 P 溝道(雙)
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:20V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:4.3A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:55 毫歐 @ 4.3A,4.5V
Id時的Vgs333th444(最大):1.2V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:15nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:1066pF @ 10V
功率_最大:1.25W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 寬)
供應商設備封裝:Micro8?
包裝:Digi-Reel®

IRF7555TR詳細規格

類別:FET - 陣列
描述:MOSFET 2P-CH 20V 4.3A MICRO8
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:2 個 P 溝道(雙)
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:20V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:4.3A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:55 毫歐 @ 4.3A,4.5V
Id時的Vgs333th444(最大):1.2V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:15nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:1066pF @ 10V
功率_最大:1.25W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 寬)
供應商設備封裝:Micro8?
包裝:剪切帶 (CT)

IRF7555TRPBF詳細規格

類別:FET - 陣列
描述:MOSFET P-CH DUAL 20V 4.3A MICRO8
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:2 個 P 溝道(雙)
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:20V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:4.3A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:55 毫歐 @ 4.3A,4.5V
Id時的Vgs333th444(最大):1.2V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:15nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:1066pF @ 10V
功率_最大:1.25W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 寬)
供應商設備封裝:Micro8?
包裝:Digi-Reel®

IRF7555TRPBF詳細規格

類別:FET - 陣列
描述:MOSFET P-CH DUAL 20V 4.3A MICRO8
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:2 個 P 溝道(雙)
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:20V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:4.3A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:55 毫歐 @ 4.3A,4.5V
Id時的Vgs333th444(最大):1.2V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:15nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:1066pF @ 10V
功率_最大:1.25W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 寬)
供應商設備封裝:Micro8?
包裝:剪切帶 (CT)

IRF7555TRPBF詳細規格

類別:FET - 陣列
描述:MOSFET P-CH DUAL 20V 4.3A MICRO8
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:2 個 P 溝道(雙)
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:20V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:4.3A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:55 毫歐 @ 4.3A,4.5V
Id時的Vgs333th444(最大):1.2V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:15nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:1066pF @ 10V
功率_最大:1.25W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 寬)
供應商設備封裝:Micro8?
包裝:帶卷 (TR)

IRF7555TR供應商

查看更多IRF7555TR的供應商
把51電子網設為首頁      把51電子網加入收藏夾
關于我們 | 會員收費標準 | 廣告服務 | 付款方式 | 友情鏈接 | 網站地圖 | 聯系我們 | 免責聲明
庫存上載:service@51dzw.com   
版權所有:51dzw.COM 粵ICP備09112631號-6(miitbeian.gov.cn) 服務熱線(深圳):13751165337 13692101218 傳真:0755-83035052 投訴電話:0755-83030533


 復制成功!
繁峙县| 闽清县| 锡林郭勒盟| 清原| 五常市| 江山市| 金门县| 焦作市| 威海市| 沿河| 南川市| 南康市| 茌平县| 肥乡县| 平南县| 永修县| 葵青区| 吉水县| 成都市| 阿克苏市| 湖南省| 佛坪县| 行唐县| 星子县| 德清县| 郯城县| 兴业县| 始兴县| 舞阳县| 竹山县| 宝山区| 乌拉特后旗| 江永县| 祁东县| 利辛县| 苏尼特右旗| 巴里| 寻乌县| 藁城市| 定安县| 巧家县|