IRF7606TR詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 30V 3.6A MICRO8
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:3.6A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:90 毫歐 @ 2.4A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:30nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:520pF @ 25V
- 功率_最大:1.8W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 寬)
- 供應商設備封裝:Micro8?
- 包裝:剪切帶 (CT)
IRF7606TR詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 30V 3.6A MICRO8
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:3.6A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:90 毫歐 @ 2.4A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:30nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:520pF @ 25V
- 功率_最大:1.8W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 寬)
- 供應商設備封裝:Micro8?
- 包裝:Digi-Reel®
IRF7606TR詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 30V 3.6A MICRO8
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:3.6A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:90 毫歐 @ 2.4A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:30nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:520pF @ 25V
- 功率_最大:1.8W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 寬)
- 供應商設備封裝:Micro8?
- 包裝:帶卷 (TR)
IRF7606TRPBF詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 30V 3.6A MICRO8
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:3.6A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:90 毫歐 @ 2.4A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:30nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:520pF @ 25V
- 功率_最大:1.8W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 寬)
- 供應商設備封裝:Micro8?
- 包裝:帶卷 (TR)
IRF7606TRPBF詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 30V 3.6A MICRO8
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:3.6A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:90 毫歐 @ 2.4A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:30nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:520pF @ 25V
- 功率_最大:1.8W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 寬)
- 供應商設備封裝:Micro8?
- 包裝:剪切帶 (CT)
IRF7606TRPBF詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 30V 3.6A MICRO8
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:3.6A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:90 毫歐 @ 2.4A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:30nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:520pF @ 25V
- 功率_最大:1.8W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 寬)
- 供應商設備封裝:Micro8?
- 包裝:Digi-Reel®
- 固定式 Susumu 非標準 COIL 0.47 UH POWER CHOKE 20% SMD
- 功率,高于 2 安 TE Connectivity 徑向,盒式 RELAY GEN PURPOSE SPDT 10A 12V
- FET - 單 International Rectifier 8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 寬) MOSFET P-CH 30V 3.6A MICRO8
- 扎帶 3M PB-6 TIE WIRE 6" BLACK 40LB
- 振蕩器 Connor-Winfield 6-SMD,無引線(DFN,LCC) OSC 125.0000MHZ 2.5V LVPECL SMD
- 接口 - I/O 擴展器 Texas Instruments 20-TSSOP(0.173",4.40mm 寬) IC I/O EXPANDER I2C 8B 20TSSOP
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) IC OPAMP GP 600KHZ SGL 8SOIC
- 通孔電阻器 Caddock Electronics Inc TO-220-2 RES 5K OHM 20W 1% TO-220
- 功率,高于 2 安 TE Connectivity 徑向,盒式 RELAY GEN PURPOSE SPDT 10A 24V
- 扎帶 3M PB-6 TIE WIRE 6" NATURAL 40LB
- 多芯導線 General Cable/Carol Brand 6-SMD,無引線(DFN,LCC) 22 AWG 2C 7/30 BC SHLD .008
- 接口 - I/O 擴展器 NXP Semiconductors 20-LSSOP(0.173",4.40mm 寬) IC I/O EXPANDER I2C 8B 20SSOP
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) IC OPAMP GP 600KHZ SGL 8SOIC
- 通孔電阻器 Caddock Electronics Inc TO-220-2 RES 50 OHM 20W 1% TO-220
- 芯片電阻 - 表面安裝 TT Electronics/Welwyn 0402(1005 公制) RES 1K OHM 1/16W .1% 0402 SMD
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