IRF7822 全國供應商、價格、PDF資料

IRF7822PBF詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：18A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.5 毫歐 @ 15A，4.5V

Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：60nC @ 5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：5500pF @ 16V

功率_最大：3.1W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應商設備封裝：8-SO

包裝：管件

IRF7822TRL詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC

系列：HEXFET®

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：18A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.5 毫歐 @ 15A，4.5V

Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：60nC @ 5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：5500pF @ 16V

功率_最大：3.1W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應商設備封裝：8-SOIC N

包裝：帶卷 (TR)

IRF7822TRPBF詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：18A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.5 毫歐 @ 15A，4.5V

Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：60nC @ 5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：5500pF @ 16V

功率_最大：3.1W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應商設備封裝：8-SO

包裝：帶卷 (TR)

IRF7822TRPBF詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：18A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.5 毫歐 @ 15A，4.5V

Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：60nC @ 5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：5500pF @ 16V

功率_最大：3.1W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應商設備封裝：8-SO

包裝：剪切帶 (CT)

IRF7822TRPBF詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：18A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.5 毫歐 @ 15A，4.5V

Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：60nC @ 5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：5500pF @ 16V

功率_最大：3.1W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應商設備封裝：8-SO

包裝：Digi-Reel®

IRF7822TRR詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC

系列：HEXFET®

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：18A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.5 毫歐 @ 15A，4.5V

Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：60nC @ 5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：5500pF @ 16V

功率_最大：3.1W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應商設備封裝：8-SOIC N

包裝：帶卷 (TR)

• HKQ0603S18NH-T

  固定式    Taiyo Yuden    0201（0603 公制）    INDUCTOR HI FREQ 18NH 0201

• HE1AN-Q-DC48V

  功率，高于 2 安    Panasonic Electric Works    徑向，圓盤    RELAY GEN PURPOSE SPST 30A 48V

• IRF7815TRPBF

  FET - 單    International Rectifier    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET N-CH 150V 5.1A 8-SOIC

• HCC35DRYS-S93

  Card Edge, Edgeboard Connectors    Sullins Connector Solutions        CONN EDGECARD 70POS DIP .100 SLD

• ISL59923IRZ

  線性 - 視頻處理    Intersil    20-VQFN 裸露焊盤    IC ANLG VID LINE TRPL 20-QFN

• HI-8192PCIF

  接口 - 模擬開關，多路復用器，多路分解器    Holt Integrated Circuits Inc    16-WQFN 裸露焊盤，CSP    IC ANALOG SWITCH 4 X SPST 16CSP

• ISL22446UFV20Z-TK

  數據采集 - 數字電位器    Intersil    20-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）    IC POT DGTL 128TP LN LP 20-TSSOP

• HF365/44SF

  扁平帶    3M        CABLE 44COND RIBBON LT GRY 25FT

• HE1AN-S-AC120V

  功率，高于 2 安    Panasonic Electric Works    徑向，圓盤    RELAY GEN PURPOSE SPST 30A 120V

• HCC36DREF

  Card Edge, Edgeboard Connectors    Sullins Connector Solutions        CONN EDGECARD 72POS .100 EYELET

• ISL60002BIH312Z-TK

  PMIC - 電壓基準    Intersil    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3    IC VREF SERIES PREC SOT-23-3

• HI-8192PSIF

  接口 - 模擬開關，多路復用器，多路分解器    Holt Integrated Circuits Inc    16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    IC ANALOG SWITCH 4 X SPST 16SOIC

• HF365/50 300

  扁平帶    3M        CABLE 50COND RIBBON LT GRY 300’

• ISL22511UFB8Z

  數據采集 - 數字電位器    Intersil    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    IC POT DGTL PB 32TP LN LP 8-SOIC

• HKQ0603S1N4C-T

  固定式    Taiyo Yuden    0201（0603 公制）    INDUCTOR HI FREQ 1.4NH 0201