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IRF7828TR 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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IRF7828TRPBF詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 30V 13.6A SO-8
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:30V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:13.6A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:12.5 毫歐 @ 10A,4.5V
Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:14nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:1010pF @ 15V
功率_最大:2.5W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應商設備封裝:8-SO
包裝:剪切帶 (CT)

IRF7828TRPBF詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 30V 13.6A SO-8
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:30V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:13.6A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:12.5 毫歐 @ 10A,4.5V
Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:14nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:1010pF @ 15V
功率_最大:2.5W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應商設備封裝:8-SO
包裝:Digi-Reel®

IRF7828TRPBF詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 30V 13.6A SO-8
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444:30V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:13.6A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:12.5 毫歐 @ 10A,4.5V
Id時的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:14nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:1010pF @ 15V
功率_最大:2.5W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應商設備封裝:8-SO
包裝:帶卷 (TR)

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