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IRF7907TRPBF詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET DUAL N-CH 30V 9.1A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：9.1A，11A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：16.4 毫歐 @ 9.1A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.35V @ 25µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：10nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：850pF @ 15V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SO; 包裝：帶卷 (TR)

IRF7907TRPBF詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET DUAL N-CH 30V 9.1A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：9.1A，11A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：16.4 毫歐 @ 9.1A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.35V @ 25µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：10nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：850pF @ 15V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SO; 包裝：剪切帶 (CT)

IRF7907TRPBF詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET DUAL N-CH 30V 9.1A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：2 個 N 溝道（雙）; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：9.1A，11A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：16.4 毫歐 @ 9.1A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.35V @ 25µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：10nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：850pF @ 15V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SO; 包裝：Digi-Reel®

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IRF7307QTRPBF
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