IRF820 全國供應商、價格、PDF資料

IRF820詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 500V 4A TO-220

系列：PowerMESH™

制造商：STMicroelectronics

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：500V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：4A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3 歐姆 @ 1.5A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：315pF @ 25V

功率_最大：80W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-220-3

供應商設備封裝：TO-220AB

包裝：管件

IRF820詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 500V 2.5A TO-220AB

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：500V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：2.5A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3 歐姆 @ 1.5A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：24nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：360pF @ 25V

功率_最大：50W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-220-3

供應商設備封裝：TO-220AB

包裝：管件

IRF820A詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 500V 2.5A TO-220AB

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：500V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：2.5A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3 歐姆 @ 1.5A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4.5V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：340pF @ 25V

功率_最大：50W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-220-3

供應商設備封裝：TO-220AB

包裝：管件

IRF820AL詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 500V 2.5A TO-262

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：500V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：2.5A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3 歐姆 @ 1.5A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4.5V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：340pF @ 25V

功率_最大：50W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA

供應商設備封裝：I2PAK

包裝：管件

IRF820ALPBF詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 500V 2.5A TO-262

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：500V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：2.5A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3 歐姆 @ 1.5A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4.5V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：340pF @ 25V

功率_最大：50W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA

供應商設備封裝：I2PAK

包裝：管件

IRF820APBF詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 500V 2.5A TO-220AB

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：500V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：2.5A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3 歐姆 @ 1.5A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4.5V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：340pF @ 25V

功率_最大：50W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-220-3

供應商設備封裝：TO-220AB

包裝：管件

• CZRF52C4V3-HF

  單二極管/齊納    Comchip Technology    1005（2512 公制）    DIODE ZENER 4.3V 200MW 1005

• CWX823-064.0M

  振蕩器    Connor-Winfield    4-SMD，無引線（DFN，LCC）    OSC 64.0000MHZ 3.3V +-50PPM SMD

• HF70ACC635050-T

  鐵氧體磁珠和芯片    TDK Corporation    2520（6450 公制）    FERRITE CHIP 500 OHM 3.0A 2520

• HIN211CA

  接口 - 驅動器，接收器，收發器    Intersil    28-SSOP（0.209"，5.30mm 寬）    IC 4DRVR/5RCVR RS232 5V 28-SSOP

• IRF8010STRRPBF

  FET - 單    International Rectifier    TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB    MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK

• GRM1885C1H122JA01D

  陶瓷    Murata Electronics North America    0603（1608 公制）    CAP CER 1200PF 50V 5% NP0 0603

• FSDM0365RL

  PMIC - AC-DC 轉換器，離線開關    Fairchild Semiconductor    8-SOP，8-LSOP    IC SWIT PWM GREEN CM OVP HV 8SOP

• CWX823-125.0M

  振蕩器    Connor-Winfield    4-SMD，無引線（DFN，LCC）    OSC 125.0000MHZ 3.3V +-50PPM SMD

• CZRF52C5V1

  單二極管/齊納    Comchip Technology    1005（2512 公制）    DIODE ZENER 5.1V 200MW 1005

• FSDM07652RWDTU

  PMIC - AC-DC 轉換器，離線開關    Fairchild Semiconductor    TO-220-6 全封裝，成形引線    IC SWIT PWM GREEN CM HV TO220F

• GRM1885C1H122JA01D

  陶瓷    Murata Electronics North America    0603（1608 公制）    CAP CER 1200PF 50V 5% NP0 0603

• CZRF52C7V5-HF

  單二極管/齊納    Comchip Technology    1005（2512 公制）    DIODE ZENER 7.5V 200MW 1005

• CWX825-12.288M

  振蕩器    Connor-Winfield    4-SMD，無引線（DFN，LCC）    OSC 12.2880MHZ 5.0V +-50PPM SMD

• HIN211CBZ-T

  接口 - 驅動器，接收器，收發器    Intersil    28-SOIC（0.295"，7.50mm 寬）    IC 4DRVR/5RCVR RS232 5V 28-SO

• HF759/10SF

  扁平帶    3M    2520（6450 公制）    CABLE 10COND RND SHIELD GRY 10’