IRF8707 全國供應商、價格、PDF資料

IRF8707GPBF詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：11A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：11.9 毫歐 @ 11A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：2.35V @ 25µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：9.3nC @ 4.5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：760pF @ 15V

功率_最大：2.5W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應商設備封裝：8-SO

包裝：管件

IRF8707GTRPBF詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：11A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：11.9 毫歐 @ 11A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：2.35V @ 25µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：9.3nC @ 4.5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：760pF @ 15V

功率_最大：2.5W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應商設備封裝：8-SO

包裝：帶卷 (TR)

IRF8707GTRPBF詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：11A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：11.9 毫歐 @ 11A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：2.35V @ 25µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：9.3nC @ 4.5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：760pF @ 15V

功率_最大：2.5W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應商設備封裝：8-SO

包裝：剪切帶 (CT)

IRF8707GTRPBF詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：11A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：11.9 毫歐 @ 11A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：2.35V @ 25µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：9.3nC @ 4.5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：760pF @ 15V

功率_最大：2.5W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應商設備封裝：8-SO

包裝：Digi-Reel®

IRF8707PBF詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：11A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：11.9 毫歐 @ 11A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：2.35V @ 25µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：9.3nC @ 4.5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：760pF @ 15V

功率_最大：2.5W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應商設備封裝：8-SO

包裝：管件

IRF8707TRPBF詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：30V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：11A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：11.9 毫歐 @ 11A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：2.35V @ 25µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：9.3nC @ 4.5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：760pF @ 15V

功率_最大：2.5W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應商設備封裝：8-SO

包裝：剪切帶 (CT)

• HIH-6121-021-001

  多功能    Honeywell Sensing and Control    16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    SENSOR DIG HUMIDITY TEMP SMD

• HE3BKT006

  配件    Vishay Sprague    0.178" x 0.128"（4.52mm x 3.25mm）    BRACKET/SPACER HE3 CAPACITOR

• IRF840STRR

  FET - 單    Vishay Siliconix    TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB    MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK

• HL02220GTTR

  固定式    AVX Corporation    0402（1005 公制）    INDUCTOR 22NH 180MA 0402

• IRLR120TRLPBF

  FET - 單    Vishay Siliconix    TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63    MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK

• ISL23328TFRUZ-T7A

  數據采集 - 數字電位器    Intersil    16-UFQFN    IC DGTL POT 2CH 100K 16UTQFN

• HILR-03VF-3-E

  矩形 - 外殼    JST Sales America Inc    徑向，圓盤    CONN RECEPT HOUSING 3POS BLUE

• ISL6142/52EVAL1

  評估演示板和套件    Intersil    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    EVAL BOARD W/CURRENT MONITOR

• HL022R4BTTR

  固定式    AVX Corporation    0402（1005 公制）    INDUCTOR 2.4NH 330MA 0402

• HCC43DRAN-S734

  Card Edge, Edgeboard Connectors    Sullins Connector Solutions        CONN EDGECARD 86POS .100 R/A PCB

• ISL23328TFVZ-T7A

  數據采集 - 數字電位器    Intersil    14-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）    IC DGTL POT 2CH 100K 14TSSOP

• IRLR120TRPBF

  FET - 單    Vishay Siliconix    TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63    MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK

• ISL6146AFRZ-T

  PMIC - O 圈控制器    Intersil        IC INTERFACE

• HILR-04VF-3-E

  矩形 - 外殼    JST Sales America Inc    徑向，圓盤    CONN RECEPT HOUSING 4POS BLUE

• HCC43DREF

  Card Edge, Edgeboard Connectors    Sullins Connector Solutions        CONN EDGECARD 86POS .100 EYELET