IRF8915詳細規格
- 類別:FET - 陣列
- 描述:MOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8-SOIC
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:2 個 N 溝道(雙)
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:20V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:8.9A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:18.3 毫歐 @ 8.9A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2.5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:7.4nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:540pF @ 10V
- 功率_最大:2W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應商設備封裝:8-SO
- 包裝:管件
IRF8915PBF詳細規格
- 類別:FET - 陣列
- 描述:MOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8-SOIC
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:2 個 N 溝道(雙)
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:20V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:8.9A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:18.3 毫歐 @ 8.9A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2.5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:7.4nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:540pF @ 10V
- 功率_最大:2W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應商設備封裝:8-SO
- 包裝:管件
IRF8915TR詳細規格
- 類別:FET - 陣列
- 描述:MOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8-SOIC
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:2 個 N 溝道(雙)
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:20V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:8.9A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:18.3 毫歐 @ 8.9A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2.5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:7.4nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:540pF @ 10V
- 功率_最大:2W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應商設備封裝:8-SO
- 包裝:帶卷 (TR)
IRF8915TRPBF詳細規格
- 類別:FET - 陣列
- 描述:MOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8-SOIC
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:2 個 N 溝道(雙)
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:20V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:8.9A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:18.3 毫歐 @ 8.9A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2.5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:7.4nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:540pF @ 10V
- 功率_最大:2W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應商設備封裝:8-SO
- 包裝:剪切帶 (CT)
IRF8915TRPBF詳細規格
- 類別:FET - 陣列
- 描述:MOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8-SOIC
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:2 個 N 溝道(雙)
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:20V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:8.9A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:18.3 毫歐 @ 8.9A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2.5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:7.4nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:540pF @ 10V
- 功率_最大:2W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應商設備封裝:8-SO
- 包裝:Digi-Reel®
IRF8915TRPBF詳細規格
- 類別:FET - 陣列
- 描述:MOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8-SOIC
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:2 個 N 溝道(雙)
- FET特點:邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444:20V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:8.9A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:18.3 毫歐 @ 8.9A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):2.5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:7.4nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:540pF @ 10V
- 功率_最大:2W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應商設備封裝:8-SO
- 包裝:帶卷 (TR)
- 晶體管(BJT) - 單路 Fairchild Semiconductor TO-261-4,TO-261AA TRANS NPN CR DVR 60V 4A SOT223
- 接線座 - 隔板塊 On Shore Technology Inc CONN BARRIER STRIP 19CIRC 9.50MM
- FET - 單 International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) MOSFET N-CH 30V 24A SO-8
- 接口 - I/O 擴展器 NXP Semiconductors 24-VFQFN 裸露焊盤 IC I/O EXPANDER I2C/SPI 24HVQFN
- 多芯導線 General Cable/Carol Brand 6-SMD,無引線(DFN,LCC) 14 AWG 2C SOLID BC SGPVC
- FET - 單 International Rectifier TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK
- 接線板 - 線至板 On Shore Technology Inc TERM BLOCK RISING CLAMP 15POS
- 板對板 - 陣列,邊緣類型,包廂 3M CONN SOCKT 200POS R/A .050" GOLD
- 晶體管(BJT) - 單路 Fairchild Semiconductor TO-261-4,TO-261AA TRANSISTOR NPN GP 80V SOT-223
- 接口 - I/O 擴展器 NXP Semiconductors 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) IC I/O EXPANDER I2C 24B 8SOIC
- FET - 單 International Rectifier TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 75V 195A D2PAK
- 多芯導線 General Cable/Carol Brand 6-SMD,無引線(DFN,LCC) 14 AWG ZIP 2C SOLID BC .028"
- 晶體管(BJT) - 單路 Fairchild Semiconductor TO-261-4,TO-261AA TRANSISTOR PNP GP 40V SOT-223
- 接線板 - 線至板 On Shore Technology Inc TERM BLOCK RISING CLAMP 17POS
- 通用嵌入式開發板和套件(MCU、DSP、FPGA、CPLD等) Freescale Semiconductor BOARD REFERENCE DESIGN P5020
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