IRF9510 全國供應商、價格、PDF資料

IRF9510詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET P-CH 100V 4A TO-220AB

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：100V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：4A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.2 歐姆 @ 2.4A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：8.7nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：200pF @ 25V

功率_最大：43W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-220-3

供應商設備封裝：TO-220AB

包裝：管件

IRF9510L詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET P-CH 100V 4A TO-262

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：100V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：4A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.2 歐姆 @ 2.4A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：8.7nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：200pF @ 25V

功率_最大：3.7W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA

供應商設備封裝：I2PAK

包裝：管件

IRF9510PBF詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET P-CH 100V 4A TO-220AB

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：100V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：4A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.2 歐姆 @ 2.4A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：8.7nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：200pF @ 25V

功率_最大：43W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-220-3

供應商設備封裝：TO-220AB

包裝：管件

IRF9510S詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET P-CH 100V 4A D2PAK

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：100V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：4A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.2 歐姆 @ 2.4A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：8.7nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：200pF @ 25V

功率_最大：3.7W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應商設備封裝：D2PAK

包裝：管件

IRF9510SPBF詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET P-CH 100V 4A D2PAK

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：100V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：4A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.2 歐姆 @ 2.4A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：8.7nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：200pF @ 25V

功率_最大：3.7W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應商設備封裝：D2PAK

包裝：帶卷 (TR)

IRF9510STRL詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET P-CH 100V 4A D2PAK

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：100V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：4A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.2 歐姆 @ 2.4A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：8.7nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：200pF @ 25V

功率_最大：3.7W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應商設備封裝：D2PAK

包裝：帶卷 (TR)

• IXFH23N80Q

  FET - 單    IXYS    TO-247-3    MOSFET N-CH 800V 23A TO-247

• IDT7014S12PF8

  存儲器    IDT, Integrated Device Technology Inc    64-LQFP    IC SRAM 36KBIT 12NS 64TQFP

• IRF9510L

  FET - 單    Vishay Siliconix    TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA    MOSFET P-CH 100V 4A TO-262

• FLZ2V4B

  單二極管/齊納    Fairchild Semiconductor    SOD-80    DIODE ZENER 2.4V 500MW SOD-80

• ISL84053IAZ

  接口 - 模擬開關，多路復用器，多路分解器    Intersil    16-SSOP（0.154"，3.90mm 寬）    IC MUX/DEMUX TRIPLE 2X1 16QSOP

• IDT7200L20SO8

  邏輯 - FIFO    IDT, Integrated Device Technology Inc    28-SOIC（0.345"，8.77mm 寬）    IC MEM FIFO 256X9 20NS 28-SOIC

• ISL9104AIRUWZ-T7A

  PMIC - 穩壓器 - DC DC 開關穩壓器    Intersil    6-UFDFN    IC REG BUCK SYNC 1.2V .5A 6UTDFN

• ISL34340INZ

  接口 - 串行器，解串行器    Intersil    64-TQFP 裸露焊盤    IC LNG-RCH VID SERDES 64-EPTQFP

• IXFH24N80P

  FET - 單    IXYS    TO-247-3    MOSFET N-CH 800V 24A TO-247

• FLZ2V7B

  單二極管/齊納    Fairchild Semiconductor    SOD-80    DIODE ZENER 2.7V 500MW SOD-80

• ISL84053IBZ-T

  接口 - 模擬開關，多路復用器，多路分解器    Intersil    16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    IC MUX/DEMUX TRIPLE 2X1 16SOIC

• IDT7200L25J8

  邏輯 - FIFO    IDT, Integrated Device Technology Inc    32-LCC（J 形引線）    IC MEM FIFO 256X9 25NS 32-PLCC

• ISL9104IRUFZ-T7A

  PMIC - 穩壓器 - DC DC 開關穩壓器    Intersil    6-UFDFN    IC REG BUCK SYNC 2.5V 0.5A 6TDFN

• ISL34341INZ-T13

  接口 - 串行器，解串行器    Intersil    64-TQFP 裸露焊盤    IC VIDEO SERDES LONG 64-EPTQFP

• IXFH26N50P

  FET - 單    IXYS    TO-247-3    MOSFET N-CH 500V 26A TO-247