IRF9540 全國供應商、價格、PDF資料

IRF9540詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET P-CH 100V 19A TO-220AB

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：100V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：19A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：200 毫歐 @ 11A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：61nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：1400pF @ 25V

功率_最大：150W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-220-3

供應商設備封裝：TO-220AB

包裝：管件

IRF9540L詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET P-CH 100V 19A TO-262

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：100V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：19A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：200 毫歐 @ 11A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：61nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：1400pF @ 25V

功率_最大：3.7W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA

供應商設備封裝：I2PAK

包裝：管件

IRF9540NL詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET P-CH 100V 23A TO-262

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：100V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：23A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：117 毫歐 @ 11A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：97nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：1300pF @ 25V

功率_最大：3.8W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA

供應商設備封裝：TO-262

包裝：管件

IRF9540NLPBF詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET P-CH 100V 23A TO262-3

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：100V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：23A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：117 毫歐 @ 14A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：110nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：1450pF @ 25V

功率_最大：3.1W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA

供應商設備封裝：TO-262

包裝：管件

IRF9540NPBF詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET P-CH 100V 23A TO-220AB

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：100V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：23A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：117 毫歐 @ 11A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：97nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：1300pF @ 25V

功率_最大：140W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-220-3

供應商設備封裝：TO-220AB

包裝：管件

IRF9540NSPBF詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET P-CH 100V 23A D2PAK

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：100V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：23A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：117 毫歐 @ 14A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：110nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：1450pF @ 25V

功率_最大：3.1W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應商設備封裝：D2PAK

包裝：管件

• IRF9540NPBF

  FET - 單    International Rectifier    TO-220-3    MOSFET P-CH 100V 23A TO-220AB

• PCA9517ATP,147

  接口 - 信號緩沖器，中繼器，分配器    NXP Semiconductors    8-WFDFN 裸露焊盤    IC I2C BUS REPEATER 8HWSON

• OSTTS09315A

  接線座 - 接頭，插頭和插口    On Shore Technology Inc        CONN TERM BLK PLUG 9POS 3.81MM

• MPC941AE

  時鐘/計時 - 時鐘緩沖器，驅動器    IDT, Integrated Device Technology Inc    48-LQFP    IC CLOCK BUFFER MUX 1:27 48-LQFP

• P1500SCMCLRP

  TVS - 晶閘管    Littelfuse Inc    DO-214AA，SMB    SIDAC MC BI 140V 400A DO-214AA

• P50L-060S-BS-DA

  板對板 - 陣列，邊緣類型，包廂    3M        CONN SOCKET 60POS .050" SMD

• PAT1220-C-5DB-T5

  衰減器    Susumu    0805（2012 公制）    ATTENUATOR 5 DB 50 OHM 0805 SMD

• OP11EPZ

  Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps    Analog Devices Inc    14-DIP（0.300"，7.62mm）    IC OPAMP GP QUAD LN 14DIP

• PCA9517D,118

  接口 - 信號緩沖器，中繼器，分配器    NXP Semiconductors    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    IC I2C BUS REPEATER 8-SOIC

• MPC942PACR2

  時鐘/計時 - 專用    IDT, Integrated Device Technology Inc    32-LQFP    IC CLK DISTR CHIP LV 1:18 32LQFP

• P1504UALRP

  TVS - 晶閘管    Littelfuse Inc    6-SOIC（0.295"，7.50mm 寬）    SIDACTOR 4CHP 280V 50A MS013

• P50L-060S-B-TGF

  板對板 - 陣列，邊緣類型，包廂    3M        CONN SOCKET 60POS TYPE B VERT

• PA-T128/LC5256B

  適配器    Lattice Semiconductor Corporation    0805（2012 公制）    INTERFACE 128TQFP ISPMACH 5256B

• OP123

  紅外發射器，UV 發射器    TT Electronics/Optek Technology    微型粒狀    DIODE IR EMITTING GAAS PILL PAK

• PCA9517DGKR

  接口 - 信號緩沖器，中繼器，分配器    Texas Instruments    8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬）    IC I2C BUS REP LVL-TRANSL 8MSOP