IRF9610 全國供應商、價格、PDF資料

IRF9610詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET P-CH 200V 1.8A TO-220AB

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：200V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：1.8A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3 歐姆 @ 900mA，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：170pF @ 25V

功率_最大：20W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-220-3

供應商設備封裝：TO-220AB

包裝：管件

IRF9610L詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET P-CH 200V 1.8A TO-262

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：200V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：1.8A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3 歐姆 @ 900mA，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：170pF @ 25V

功率_最大：3W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA

供應商設備封裝：I2PAK

包裝：管件

IRF9610PBF詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET P-CH 200V 1.8A TO-220AB

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：200V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：1.8A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3 歐姆 @ 900mA，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：170pF @ 25V

功率_最大：20W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-220-3

供應商設備封裝：TO-220AB

包裝：管件

IRF9610S詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET P-CH 200V 1.8A D2PAK

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：200V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：1.8A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3 歐姆 @ 900mA，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：170pF @ 25V

功率_最大：3W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應商設備封裝：D2PAK

包裝：管件

IRF9610SPBF詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET P-CH 200V 1.8A D2PAK

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：200V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：1.8A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3 歐姆 @ 900mA，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：170pF @ 25V

功率_最大：3W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應商設備封裝：D2PAK

包裝：管件

IRF9610STRL詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET P-CH 200V 1.8A D2PAK

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：200V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：1.8A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3 歐姆 @ 900mA，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：170pF @ 25V

功率_最大：3W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應商設備封裝：D2PAK

包裝：帶卷 (TR)

• IRLR6225TRPBF

  FET - 單    International Rectifier    TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63    MOSFET N-CH 20V 100A DPAK

• HIN208CBZ

  接口 - 驅動器，接收器，收發器    Intersil    24-SOIC（0.295"，7.50mm 寬）    IC 4DRVR/4RCVR RS232 5V 24-SOIC

• IRF9540PBF

  FET - 單    Vishay Siliconix    TO-220-3    MOSFET P-CH 100V 19A TO-220AB

• HCC44DRTN-S93

  Card Edge, Edgeboard Connectors    Sullins Connector Solutions        CONN EDGECARD 88POS DIP .100 SLD

• ISL61851IIBZ

  PMIC - 熱交換    Intersil    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    IC USB PWR CTRLR DUAL 8SOIC

• HL1-HP-DC48V

  功率，高于 2 安    Panasonic Electric Works    徑向，管狀    RELAY GEN PURPOSE SPDT 15A 48V

• HEDB-9100-I13

  編碼器    Avago Technologies US Inc.    16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    ENCODER MODULE 2CH 512CPR 8MM

• ISL23425TFVZ-T7A

  數據采集 - 數字電位器    Intersil    14-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）    IC DGTL POT DUAL 100K 14TSSOP

• IRLR7811WCTRRP

  FET - 單    International Rectifier    TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63    MOSFET N-CH 30V 64A DPAK

• HCC44DRXH

  Card Edge, Edgeboard Connectors    Sullins Connector Solutions        CONN EDGECARD 88POS DIP .100 SLD

• ISL61852ACRZ

  PMIC - 熱交換    Intersil    8-VDFN 裸露焊盤    IC USB PWR CTRLR DUAL 8SOIC

• HL1-HP-DC6V

  功率，高于 2 安    Panasonic Electric Works    徑向，管狀    RELAY GEN PURPOSE SPDT 15A 6V

• HEDB-9140-A13

  編碼器    Avago Technologies US Inc.    16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    ENCODER MODULE 3CH 500CPR 8MM

• ISL23425UFVZ-T7A

  數據采集 - 數字電位器    Intersil    14-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）    IC DGTL POT DUAL 50K 14TSSOP

• IRLR7833PBF

  FET - 單    International Rectifier    TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63    MOSFET N-CH 30V 140A DPAK