IRF9952詳細規格
- 類別：FET - 陣列
- 描述：MOSFET N+P 30V 2.3A 8-SOIC
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：N 和 P 溝道
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：3.5A，2.3A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：100 毫歐 @ 2.2A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：190pF @ 15V
- 功率_最大：2W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
- 供應商設備封裝：8-SO
- 包裝：管件
IRF9952PBF詳細規格
- 類別：FET - 陣列
- 描述：MOSFET N+P 30V 2.3A 8-SOIC
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：N 和 P 溝道
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：3.5A，2.3A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：100 毫歐 @ 2.2A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：190pF @ 15V
- 功率_最大：2W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
- 供應商設備封裝：8-SO
- 包裝：管件
IRF9952QTRPBF詳細規格
- 類別：FET - 陣列
- 描述：MOSFET N/P-CH DUAL 30V 8-SOIC
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：N 和 P 溝道
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：3.5A，2.3A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：100 毫歐 @ 2.2A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：190pF @ 15V
- 功率_最大：2W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
- 供應商設備封裝：8-SO
- 包裝：Digi-Reel®
IRF9952QTRPBF詳細規格
- 類別：FET - 陣列
- 描述：MOSFET N/P-CH DUAL 30V 8-SOIC
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：N 和 P 溝道
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：3.5A，2.3A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：100 毫歐 @ 2.2A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：190pF @ 15V
- 功率_最大：2W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
- 供應商設備封裝：8-SO
- 包裝：剪切帶 (CT)
IRF9952TR詳細規格
- 類別：FET - 陣列
- 描述：MOSFET N+P 30V 2.3A 8-SOIC
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：N 和 P 溝道
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：3.5A，2.3A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：100 毫歐 @ 2.2A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：190pF @ 15V
- 功率_最大：2W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
- 供應商設備封裝：8-SO
- 包裝：帶卷 (TR)
IRF9952TRPBF詳細規格
- 類別：FET - 陣列
- 描述：MOSFET N+P 30V 2.3A 8-SOIC
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：N 和 P 溝道
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：3.5A，2.3A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：100 毫歐 @ 2.2A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：190pF @ 15V
- 功率_最大：2W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
- 供應商設備封裝：8-SO
- 包裝：剪切帶 (CT)
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 88POS DIP .100 SLD
- 功率，高于 2 安 Panasonic Electric Works RELAY GEN PURPOSE SPDT 15A 115V
- 配件 Avago Technologies US Inc. 16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） CODEWHEEL 28MM 2CH 1000CPR 1/4"
- 接口 - 驅動器，接收器，收發器 Intersil 28-SSOP（0.209"，5.30mm 寬） IC 4DRVR/5RCVR RS232 5V 28-SSOP
- PMIC - 熱交換 Intersil 8-VDFN 裸露焊盤 IC USB PWR CTRLR DUAL 8DFN
- 數據采集 - 數字電位器 Intersil 14-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） IC DGTL POT 2CH 100K 14TSSOP
- FET - 單 International Rectifier TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 30V 94A DPAK
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 98POS R/A .100 SLD
- 底座安裝電阻器 Vishay Dale 徑向，管狀 RES 25 OHM 5% 225W TUBULAR WW
- PMIC - 熱交換 Intersil 10-VFDFN 裸露焊盤 IC USB PWR CTRLR DUAL 10DFN
- 接口 - 驅動器，接收器，收發器 Intersil 16-SOIC（0.295"，7.50mm 寬） IC 2DRVR/2RCVR RS232 5V 16-SOIC
- FET - 單 International Rectifier TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 25V 81A DPAK
- 數據采集 - 數字電位器 Intersil 16-UFQFN IC DGTL POT 2CH 50K 16UTQFN
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 98POS .100 EYELET
- 配件 Avago Technologies US Inc. 16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） CODEWHEEL 28MM 2CH 1000CPR 1/4"
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0755-23915992 
0755-82561519 
