IRF9Z24NS 全國供應商、價格、PDF資料

IRF9Z24NS詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET P-CH 55V 12A D2PAK

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：55V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：12A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：175 毫歐 @ 7.2A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：19nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：350pF @ 25V

功率_最大：3.8W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應商設備封裝：D2PAK

包裝：管件

IRF9Z24NSPBF詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET P-CH 55V 12A D2PAK

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：55V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：12A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：175 毫歐 @ 7.2A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：19nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：350pF @ 25V

功率_最大：3.8W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應商設備封裝：D2PAK

包裝：管件

IRF9Z24NSTRL詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET P-CH 55V 12A D2PAK

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：55V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：12A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：175 毫歐 @ 7.2A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：19nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：350pF @ 25V

功率_最大：3.8W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應商設備封裝：D2PAK

包裝：帶卷 (TR)

IRF9Z24NSTRLPBF詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET P-CH 55V 12A D2PAK

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：55V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：12A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：175 毫歐 @ 7.2A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：19nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：350pF @ 25V

功率_最大：3.8W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應商設備封裝：D2PAK

包裝：帶卷 (TR)

IRF9Z24NSTRLPBF詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET P-CH 55V 12A D2PAK

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：55V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：12A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：175 毫歐 @ 7.2A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：19nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：350pF @ 25V

功率_最大：3.8W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應商設備封裝：D2PAK

包裝：Digi-Reel®

IRF9Z24NSTRLPBF詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET P-CH 55V 12A D2PAK

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：55V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：12A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：175 毫歐 @ 7.2A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：19nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：350pF @ 25V

功率_最大：3.8W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應商設備封裝：D2PAK

包裝：剪切帶 (CT)

• IS-C1603

  配件    NKK Switches    1210（3225 公制）    CONTROL FOR 36X24 LCD PB/DISPLAY

• E39-S65C

  配件    Omron Electronics Inc-IA Div        SLIT 2MM INSERT TYPE FOR E3Z-T

• IRF7488TRPBF

  FET - 單    International Rectifier    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET N-CH 80V 6.3A 8-SOIC

• IRF9953TRPBF

  FET - 陣列    International Rectifier    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    HEX/MOS P-CH DUAL 30V 2.3A 8SOIC

• HFZ102KBFEJ0KR

  陶瓷    Vishay BC Components    徑向，圓盤    CAP CER 1000PF 6KV 10% RADIAL

• H3BXG-10110-A6-ND

  跳線，預壓接線    Hirose Electric Co Ltd        JUMPER-H1505TR/A3049A/X 10"

• HCPL-0501-500E

  光隔離器 - 晶體管，光電輸出    Avago Technologies US Inc.    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    OPTOCOUPLER TRANS-OUT 1MBD 8SOIC

• ISL6256AHAZ-T

  PMIC - 電池管理    Intersil    28-SSOP（0.154"，3.90mm 寬）    IC BATTERY CHARGER CTRLR 28-QSOP

• E39-S65D

  配件    Omron Electronics Inc-IA Div        SLIT 0.5X10MM INSERTIN FOR E3Z-T

• IRF7493TR

  FET - 單    International Rectifier    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET N-CH 80V 9.3A 8-SOIC

• HFZ152MBFDJ0KR

  陶瓷    Vishay BC Components    徑向，圓盤    CAP CER 1500PF 6KV 20% RADIAL

• H3BXG-10110-B4-ND

  跳線，預壓接線    Hirose Electric Co Ltd        JUMPER-H1505TR/A2015B/X 10"

• ISL6261AEVAL2Z

  評估板 - DC/DC 與 AC/DC（離線）SMPS    Intersil    40-VFQFN 裸露焊盤    EVAL BOARD 2 FOR ISL6261A

• HCPL-0530#500

  光隔離器 - 晶體管，光電輸出    Avago Technologies US Inc.    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    OPTOCOUPLER 2CH 1MBS 8-SOIC

• IS-C1603

  配件    NKK Switches    1210（3225 公制）    CONTROL FOR 36X24 LCD PB/DISPLAY