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IRFB3004GPBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：195A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.75 毫歐 @ 195A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：240nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：9200pF @ 25V; 功率_最大：380W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應商設備封裝：TO-220AB; 包裝：管件

IRFB3004PBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 40V 195A TO-220AB; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：195A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.75 毫歐 @ 195A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：240nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：9200pF @ 25V; 功率_最大：380W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應商設備封裝：TO-220AB; 包裝：管件

IRFB3006GPBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 195A TO220AB; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：195A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.5 毫歐 @ 170A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：300nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：8970pF @ 50V; 功率_最大：375W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應商設備封裝：TO-220AB; 包裝：管件

IRFB3006PBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 195A TO-220AB; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：195A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.5 毫歐 @ 170A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：300nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：8970pF @ 50V; 功率_最大：375W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應商設備封裝：TO-220AB; 包裝：管件

IRFB3077GPBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 75V 120A TO-220AB; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：75V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：120A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.3 毫歐 @ 75A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：220nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：9400pF @ 50V; 功率_最大：370W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應商設備封裝：TO-220AB; 包裝：管件

IRFB3077PBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 75V 120A TO-220AB; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：75V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：120A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.3 毫歐 @ 75A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：220nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：9400pF @ 50V; 功率_最大：370W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應商設備封裝：TO-220AB; 包裝：管件

IRG7I313UPBF
IGBT - 單路 International Rectifier TO-220-3 整包 IGBT PDP 330V 20A TO-220ABFP
IRFB3077GPBF
FET - 單 International Rectifier TO-220-3 MOSFET N-CH 75V 120A TO-220AB
KPSE08E20-39P
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN PLUG 39POS CABLE RA PIN
KNP100JR-52-12R
通孔電阻器 Yageo 軸向 RES 12 OHM 1W 5% WIREWOUND AXL
KPT01E8-4PDZ
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 4POS CBL MNT PIN
J7KNA-12-01W 110
保護繼電器和系統 Omron Electronics Inc-IA Div J7KNA-12-01W 110
IMC1812ER471K
固定式 Vishay Dale INDUCTOR WW 470UH 10% 1812
IRG7PH42U-EP
IGBT - 單路 International Rectifier TO-247-3（TO-247AD） IGBT 1200V 90A TO-247AD
ECQ-E2335JB
薄膜 Panasonic Electronic Components 徑向 CAP FILM 3.3UF 250VDC RADIAL
KNP100JR-52-56R
通孔電阻器 Yageo 軸向 RES 56 OHM 1W 5% WIREWOUND AXL
IMC1812ER561K
固定式 Vishay Dale 1812（4532 公制） INDUCTOR WW 560UH 10% 1812
KPT01E8-4S
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 4POS CBL MNT SKT
J7KNA-12-01W 24
其它 Omron Electronics Inc-IA Div MOTOR CONTACTOR 12A 0NO/1NC
ECQ-E2335JFW
薄膜 Panasonic Electronic Components 徑向 CAP FILM 3.3UF 250VDC RADIAL
IRG7R313UTRLPBF
其它 International Rectifier IGBT 330V 40A 78W DPAK

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