IRFBC40 全國供應商、價格、PDF資料

IRFBC40詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-220AB

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：600V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：6.2A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.2 歐姆 @ 3.7A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：60nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：1300pF @ 25V

功率_最大：125W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-220-3

供應商設備封裝：TO-220AB

包裝：管件

IRFBC40A詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-220AB

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：600V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：6.2A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.2 歐姆 @ 3.7A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：42nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：1036pF @ 25V

功率_最大：125W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-220-3

供應商設備封裝：TO-220AB

包裝：管件

IRFBC40AL詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-262

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：600V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：6.2A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.2 歐姆 @ 3.7A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：42nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：1036pF @ 25V

功率_最大：125W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA

供應商設備封裝：I2PAK

包裝：管件

IRFBC40APBF詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-220AB

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：600V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：6.2A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.2 歐姆 @ 3.7A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：42nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：1036pF @ 25V

功率_最大：125W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-220-3

供應商設備封裝：TO-220AB

包裝：管件

IRFBC40AS詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：600V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：6.2A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.2 歐姆 @ 3.7A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：42nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：1036pF @ 25V

功率_最大：125W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應商設備封裝：D2PAK

包裝：管件

IRFBC40ASPBF詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：600V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：6.2A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.2 歐姆 @ 3.7A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：42nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：1036pF @ 25V

功率_最大：125W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應商設備封裝：D2PAK

包裝：管件

• ISL6224CAZ

  PMIC - 穩壓器 - DC DC 切換控制器    Intersil    16-SSOP（0.154"，3.90mm 寬）    IC REG CTRLR BUCK PWM CM 16-SSOP

• ISL23711UIU10Z-T

  數據采集 - 數字電位器    Intersil    10-TFSOP，10-MSOP（0.118"，3.00mm 寬）    IC POT DIGITAL CONTROL 10-MSOP

• IRLU3714

  FET - 單    International Rectifier    TO-251-3 長引線，IPak，TO-251AB    MOSFET N-CH 20V 36A I-PAK

• IRFBC40AL

  FET - 單    Vishay Siliconix    TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA    MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-262

• HCC60DRXS

  Card Edge, Edgeboard Connectors    Sullins Connector Solutions        CONN EDGECARD 120PS DIP .100 SLD

• HLC02270HTTR

  固定式    AVX Corporation    0402（1005 公制）    INDUCT HI CURR 27NH 3% 0402 SMD

• IR21271STRPBF

  PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關    International Rectifier    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    IC DRIVER CURR SENSE 1CHAN 8SOIC

• HIP4020IBZT

  PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關    Intersil    20-SOIC（0.295"，7.50mm 寬）    IC DRIVER FULL-BRIDGE 20-SOIC

• ISL6225CAZA-T

  PMIC - 穩壓器 - 專用型    Intersil    28-SSOP（0.154"，3.90mm 寬）    IC CTRLR DDR DRAM, SDRAM 28QSOP

• HCC60DRYH

  Card Edge, Edgeboard Connectors    Sullins Connector Solutions        CONN EDGECARD 120PS DIP .100 SLD

• IR2127STR

  PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關    International Rectifier    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    IC MOSFET DRIVER CUR-SENSE 8SOIC

• HLC023R0BTTR

  固定式    AVX Corporation    0402（1005 公制）    INDUCT HI CURR 3.0NH 0402 SMD

• HIP4080AEVAL

  過時/停產零件編號    Intersil        EVALUATION BOARD HIP4080/4081

• ISL6228IRTZ

  PMIC - 穩壓器 - DC DC 切換控制器    Intersil    28-WFQFN 裸露焊盤    IC REG CTRLR BUCK PWM 28-TQFN

• IRLZ14S

  FET - 單    Vishay Siliconix    TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB    MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK