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IRFI620 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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IRFI620詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 200V 4.1A TO220FP
系列:-
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:200V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:4.1A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:800 毫歐 @ 2.5A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:14nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:260pF @ 25V
功率_最大:30W
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-220-3 全封裝,隔離接片
供應商設備封裝:TO-220-3
包裝:管件

IRFI620G詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 200V 4.1A TO220FP
系列:-
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:200V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:4.1A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:800 毫歐 @ 2.5A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:14nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:260pF @ 25V
功率_最大:30W
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-220-3 全封裝,隔離接片
供應商設備封裝:TO-220-3
包裝:管件

IRFI620GPBF詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 200V 4.1A TO220FP
系列:-
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:200V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:4.1A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:800 毫歐 @ 2.5A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:14nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:260pF @ 25V
功率_最大:30W
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-220-3 全封裝,隔離接片
供應商設備封裝:TO-220-3
包裝:管件

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