IRFI734G詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 450V 3.4A TO220FP
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:450V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:3.4A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.2 歐姆 @ 2A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:45nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:680pF @ 25V
- 功率_最大:35W
- 安裝類型:通孔
- 封裝/外殼:TO-220-3 全封裝,隔離接片
- 供應商設備封裝:TO-220-3
- 包裝:管件
IRFI734GPBF詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 450V 3.4A TO220FP
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:450V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:3.4A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:1.2 歐姆 @ 2A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:45nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:680pF @ 25V
- 功率_最大:35W
- 安裝類型:通孔
- 封裝/外殼:TO-220-3 全封裝,隔離接片
- 供應商設備封裝:TO-220-3
- 包裝:管件
- 鐵氧體磁珠和芯片 Taiyo Yuden 0805(2012 公制) FERRITE BEAD 330 OHM 0805
- FET - 單 International Rectifier TO-220-3 整包 MOSFET N CH 100V 35A TO220
- 網絡、陣列 Panasonic Electronic Components 0804(2010 公制),凹陷 RES ARRAY 220 OHM 4 RES 0804
- 同軸,RF Laird Technologies IAS 0603(1608 公制) CONN SMB MALE
- 芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 2512(6432 公制) RES 27 OHM 1W 5% 2512 SMD
- FET - 單 Vishay Siliconix TO-220-3 全封裝,隔離接片 MOSFET N-CH 200V 5.9A TO220FP
- 同軸,RF Laird Technologies IAS 0603(1608 公制) CONN SMB MALE
- 鐵氧體磁珠和芯片 Taiyo Yuden 1810(4525 公制) FERRITE BEAD 1600 OHM 1810
- 單二極管/整流器 Infineon Technologies TO-220-2 DIODE SCHOTTKY 600V 6A TO220-2
- 同軸,RF Laird Technologies IAS 0603(1608 公制) CONN SMB MALE
- FET - 單 Vishay Siliconix TO-220-3 全封裝,隔離接片 MOSFET N-CH 400V 5.7A TO220FP
- 芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 2512(6432 公制) RES 27.4 OHM 1W 1% 2512 SMD
- 單二極管/整流器 Infineon Technologies TO-220-2 DIODE SCHOTTKY 600V 9A TO220-2
- 鐵氧體磁珠和芯片 Taiyo Yuden 0805(2012 公制) FERRITE BEAD 21 OHM 0805
- 同軸,RF Laird Technologies IAS 0603(1608 公制) CONN SMC MALE
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