IRFIZ34E詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 60V 21A TO220FP
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:60V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:21A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:42 毫歐 @ 11A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:34nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:700pF @ 25V
- 功率_最大:37W
- 安裝類型:通孔
- 封裝/外殼:TO-220-3 整包
- 供應商設備封裝:TO-220AB 整包
- 包裝:管件
- FET - 單 Vishay Siliconix TO-220-3 全封裝,隔離接片 MOSFET N-CH 800V 2.1A TO220FP
- 網絡、陣列 Panasonic Electronic Components 0804(2010 公制),凹陷 RES ARRAY 3.3K OHM 4 RES 0804
- 芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 2512(6432 公制) RES 28.7 OHM 1W 1% 2512 SMD
- 芯片電阻 - 表面安裝 Stackpole Electronics Inc 2512(6432 公制) RES .003 OHM 2W 1% 2512 SMD
- 打印機 CBM America Corporation TO-220-2 PRINTER IMPACT BLACK PARALLEL
- FET - 單 Vishay Siliconix TO-220-3 全封裝,隔離接片 MOSFET N-CH 900V 1.9A TO220FP
- TVS - 變阻器,MOV Littelfuse Inc - VARISTOR 40KA THRML PRTCD 385V
- 網絡、陣列 Panasonic Electronic Components 0804(2010 公制),凹陷 RES ARRAY 360K OHM 4 RES 0804
- 芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 2512(6432 公制) RES 28.7 OHM 1W 1% 2512 SMD
- 芯片電阻 - 表面安裝 Stackpole Electronics Inc 2512(6432 公制) RES .001 OHM 2W 1% 2512 SMD
- 矩形 Samtec Inc TO-220-2 CONN SOCKET IDC DUAL
- FET - 單 International Rectifier TO-220-3 整包 MOSFET N-CH 55V 33A TO220FP
- TVS - 變阻器,MOV Littelfuse Inc - VARISTOR 40KA THRML PRTCD 510V
- 芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 2512(6432 公制) RES 2.00K OHM 1.5W 1% 2512 SMD
- 網絡、陣列 Panasonic Electronic Components 0804(2010 公制),凹陷 RES ARRAY 390 OHM 4 RES 0804
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