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IRFIZ48 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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IRFIZ48G詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 60V 37A TO220FP
系列:-
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:60V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:37A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:18 毫歐 @ 22A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:110nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:2400pF @ 25V
功率_最大:50W
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-220-3 全封裝,隔離接片
供應商設備封裝:TO-220-3
包裝:管件

IRFIZ48GPBF詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 60V 37A TO220FP
系列:-
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:60V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:37A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:18 毫歐 @ 22A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:110nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:2400pF @ 25V
功率_最大:50W
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-220-3 全封裝,隔離接片
供應商設備封裝:TO-220-3
包裝:管件

IRFIZ48N詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 55V 36A TO220FP
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:55V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:36A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:16 毫歐 @ 22A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:89nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:1900pF @ 25V
功率_最大:42W
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-220-3 整包
供應商設備封裝:TO-220AB 整包
包裝:管件

IRFIZ48NPBF詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 55V 40A TO220FP
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:55V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:40A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:16 毫歐 @ 22A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:89nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:1900pF @ 25V
功率_最大:54W
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-220-3 整包
供應商設備封裝:TO-220AB 整包
包裝:管件

IRFIZ48VPBF詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 60V 39A TO220FP
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:60V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:39A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:12 毫歐 @ 43A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:110nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:1985pF @ 25V
功率_最大:43W
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-220-3 整包
供應商設備封裝:TO-220AB 整包
包裝:管件

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