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IRFP140 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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IRFP1405詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 55V 95A TO-247AC
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:55V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:95A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:5.3 毫歐 @ 95A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:180nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:5600pF @ 25V
功率_最大:310W
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-247-3
供應商設備封裝:TO-247AC
包裝:散裝

IRFP1405PBF詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 55V 95A TO-247AC
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:55V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:95A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:5.3 毫歐 @ 95A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:180nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:5600pF @ 25V
功率_最大:310W
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-247-3
供應商設備封裝:TO-247AC
包裝:散裝

IRFP140N詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 100V 33A TO-247AC
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:100V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:33A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:52 毫歐 @ 16A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:94nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:1400pF @ 25V
功率_最大:140W
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-247-3
供應商設備封裝:TO-247AC
包裝:散裝

IRFP140NPBF詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 100V 33A TO-247AC
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:100V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:33A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:52 毫歐 @ 16A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:94nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:1400pF @ 25V
功率_最大:140W
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-247-3
供應商設備封裝:TO-247AC
包裝:散裝

IRFP140PBF詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 100V 31A TO-247AC
系列:-
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:100V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:31A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:77 毫歐 @ 19A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:72nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:1700pF @ 25V
功率_最大:180W
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-247-3
供應商設備封裝:TO-247-3
包裝:管件

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