91精品一区二区三区久久久久久_欧美一级特黄大片色_欧美一区二区人人喊爽_精品一区二区三区av

添加收藏夾 設為首頁 深圳服務熱線:13692101218  13751165337 網站地圖|企業名錄|IC詳細資料|熱門庫存|Pdf資料

51電子網Log圖片

IC供應PDF資料非IC供應

51電子網聯系電話:13692101218

當前位置:網站首頁 » 庫存索引240 » 型號"IRFR110T"的供應信息

IRFR110T 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
按地區:全部 | 廣東 | 深圳 | 汕頭 | 上海 | 北京 | 浙江 | 陜西 | 山東 | 江蘇 | 深圳外

IRFR110TR詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
系列:-
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:100V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:4.3A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:540 毫歐 @ 2.6A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:8.3nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:180pF @ 25V
功率_最大:2.5W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應商設備封裝:D-Pak
包裝:帶卷 (TR)

IRFR110TRL詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
系列:-
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:100V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:4.3A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:540 毫歐 @ 2.6A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:8.3nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:180pF @ 25V
功率_最大:2.5W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應商設備封裝:D-Pak
包裝:帶卷 (TR)

IRFR110TRLPBF詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
系列:-
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:100V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:4.3A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:540 毫歐 @ 2.6A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:8.3nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:180pF @ 25V
功率_最大:2.5W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應商設備封裝:D-Pak
包裝:帶卷 (TR)

IRFR110TRPBF詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
系列:-
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:100V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:4.3A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:540 毫歐 @ 2.6A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:8.3nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:180pF @ 25V
功率_最大:2.5W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應商設備封裝:D-Pak
包裝:帶卷 (TR)

IRFR110TRPBF詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
系列:-
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:100V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:4.3A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:540 毫歐 @ 2.6A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:8.3nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:180pF @ 25V
功率_最大:2.5W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應商設備封裝:D-Pak
包裝:Digi-Reel®

IRFR110TRPBF詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
系列:-
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:100V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:4.3A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:540 毫歐 @ 2.6A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:8.3nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:180pF @ 25V
功率_最大:2.5W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應商設備封裝:D-Pak
包裝:剪切帶 (CT)

IRFR110T供應商

查看更多IRFR110T的供應商
把51電子網設為首頁      把51電子網加入收藏夾
關于我們 | 會員收費標準 | 廣告服務 | 付款方式 | 友情鏈接 | 網站地圖 | 聯系我們 | 免責聲明
庫存上載:service@51dzw.com   
版權所有:51dzw.COM 粵ICP備09112631號-6(miitbeian.gov.cn) 服務熱線(深圳):13751165337 13692101218 傳真:0755-83035052 投訴電話:0755-83030533


 復制成功!
北川| 溧水县| 奇台县| 砚山县| 兴和县| 嘉峪关市| 固安县| 五峰| 昌乐县| 西贡区| 板桥市| 江川县| 瑞金市| 迁西县| 叙永县| 光泽县| 芒康县| 辽宁省| 犍为县| 迭部县| 漳平市| 西平县| 隆林| 大安市| 于田县| 孝昌县| 隆昌县| 临漳县| 囊谦县| 恭城| 宕昌县| 桑日县| 株洲市| 阿鲁科尔沁旗| 油尖旺区| 阿坝县| 福州市| 邯郸市| 吉水县| 肃南| 石阡县|