IRFR1205詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 55V 44A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:55V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:44A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:27 毫歐 @ 26A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:65nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1300pF @ 25V
- 功率_最大:107W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設備封裝:D-Pak
- 包裝:管件
IRFR1205PBF詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 55V 44A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:55V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:44A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:27 毫歐 @ 26A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:65nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1300pF @ 25V
- 功率_最大:107W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設備封裝:D-Pak
- 包裝:管件
IRFR1205TRL詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 55V 44A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:55V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:44A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:27 毫歐 @ 26A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:65nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1300pF @ 25V
- 功率_最大:107W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設備封裝:D-Pak
- 包裝:帶卷 (TR)
IRFR1205TRLPBF詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 55V 44A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:55V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:44A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:27 毫歐 @ 26A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
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- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1300pF @ 25V
- 功率_最大:107W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設備封裝:D-Pak
- 包裝:帶卷 (TR)
IRFR1205TRPBF詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 55V 44A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:55V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:44A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:27 毫歐 @ 26A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:65nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1300pF @ 25V
- 功率_最大:107W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設備封裝:D-Pak
- 包裝:帶卷 (TR)
IRFR1205TRPBF詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 55V 44A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:55V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:44A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:27 毫歐 @ 26A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:65nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1300pF @ 25V
- 功率_最大:107W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設備封裝:D-Pak
- 包裝:剪切帶 (CT)
- 配件 Vector Electronics DO-204AC,DO-15,軸向 PIN INBOARD .025" HOLE 1000/PKG
- AC DC 轉換器 Emerson Network Power POWER SUPPLY FRONT END 24V 600W
- 振蕩器 ECS Inc 4-SMD,無引線(DFN,LCC) OSC 4.000 MHZ 3.3V SMD
- FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 MOSFET N-CH 100V 8.4A TO-252AA
- RF配件 Laird Technologies IAS 8-SMD(0.300",7.62mm) ACCY MIRROR MOUNT 3/4 ATX195
- 陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 47PF 50V 10% RADIAL
- AC DC 轉換器 Emerson Network Power POWER SUPPLY FRONT END 36V 600W
- 陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 33PF 100V 5% RADIAL
- 陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 39PF 50V 5% RADIAL
- 功率,高于 2 安 Panasonic Electric Works 圓柱形,扁平端子(螺栓) RELAY GEN PURPOSE SPST 20A 12V
- RF配件 Laird Technologies IAS 8-SMD(0.300",7.62mm) ACCY MIRROR MNT 3/4 58A SMAM
- 陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 33PF 100V 5% RADIAL
- 陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 47PF 50V 10% RADIAL
- 顯示器模塊 - LCD,OLED 字符和數字 Lumex Opto/Components Inc LCD MODULE 8X2 CHAR TRNSFL STN
- FET - 單 International Rectifier TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 MOSFET N-CH 55V 44A DPAK
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