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IRFR214詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 250V 2.2A DPAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：250V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：2.2A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2 歐姆 @ 1.3A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：8.2nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：140pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：D-Pak; 包裝：管件

IRFR214PBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 250V 2.2A DPAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：250V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：2.2A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2 歐姆 @ 1.3A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：8.2nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：140pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：D-Pak; 包裝：管件

IRFR214TR詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 250V 2.2A DPAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：250V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：2.2A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2 歐姆 @ 1.3A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：8.2nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：140pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

IRFR214TRL詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 250V 2.2A DPAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：250V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：2.2A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2 歐姆 @ 1.3A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：8.2nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：140pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

IRFR214TRLPBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 250V 2.2A DPAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：250V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：2.2A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2 歐姆 @ 1.3A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：8.2nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：140pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

IRFR214TRPBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 250V 2.2A DPAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：250V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：2.2A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2 歐姆 @ 1.3A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：8.2nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：140pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

CY7C1356SV25-166AXC
存儲器 Cypress Semiconductor Corp 100-LQFP IC SRAM 9MB SYNC 100-TQFP
FVXO-HC73BR-48
振蕩器 Fox Electronics 6-SMD，無引線（DFN，LCC） OSC 48 MHZ 3.3V HCMOS SMD
HFBR-4401Z
配件 Avago Technologies US Inc. HDWR V-LINK NUTS/WASH 100EA SMA
IRF3707STRRPBF
FET - 單 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK
HLMP-AG75-120DD
LED - 分立式 Avago Technologies US Inc. 徑向 LED OVAL 5MM 626NM INGAN RED
ISL88013IH523Z-TK
PMIC - 監控器 Intersil SC-74A，SOT-753 IC VOLTAGE MONITOR DUAL SOT23-5
IXFN44N50
FET IXYS SOT-227-4，miniBLOC MOSFET N-CH 500V 44A SOT-227B
CY7C1360C-166AJXC
存儲器 Cypress Semiconductor Corp 100-LQFP IC SRAM 9MBIT 166MHZ 100LQFP
FVXO-HC73BR-64
振蕩器 Fox Electronics 6-SMD，無引線（DFN，LCC） OSC 64 MHZ 3.3V HCMOS SMD
IRF3707ZSTRL
FET - 單 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 30V 59A D2PAK
HLMP-AL16-PSRZZ
LED - 分立式 Avago Technologies US Inc. 徑向 LED 5MM ALINGAP2 AMBER 30X70DEG
IXFN56N90P
FET IXYS SOT-227-4，miniBLOC MOSFET N-CH SOT-227B
HFBR-4402
配件 Avago Technologies US Inc. HDWR V-LINK PORT CAPS SMA 500EA
ISL88013IH523Z-TK
PMIC - 監控器 Intersil SC-74A，SOT-753 IC VOLTAGE MONITOR DUAL SOT23-5
CY7C1360C-166BZC
存儲器 Cypress Semiconductor Corp 165-LBGA IC SRAM 9MBIT 166MHZ 165LFBGA

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