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IRFR310 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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IRFR310詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK
系列:-
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:400V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:1.7A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:3.6 歐姆 @ 1A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:12nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:170pF @ 25V
功率_最大:2.5W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應商設備封裝:D-Pak
包裝:管件

IRFR3103詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:400V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:1.7A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:3.6 歐姆 @ 1A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:12nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:170pF @ 25V
功率_最大:2.5W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應商設備封裝:D-Pak
包裝:管件

IRFR3103TR詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:400V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:1.7A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:3.6 歐姆 @ 1A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:12nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:170pF @ 25V
功率_最大:2.5W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應商設備封裝:D-Pak
包裝:帶卷 (TR)

IRFR3103TRL詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:400V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:1.7A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:3.6 歐姆 @ 1A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:12nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:170pF @ 25V
功率_最大:2.5W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應商設備封裝:D-Pak
包裝:帶卷 (TR)

IRFR3103TRR詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:400V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:1.7A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:3.6 歐姆 @ 1A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:12nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:170pF @ 25V
功率_最大:2.5W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應商設備封裝:D-Pak
包裝:帶卷 (TR)

IRFR310PBF詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK
系列:-
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:400V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:1.7A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:3.6 歐姆 @ 1A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:12nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:170pF @ 25V
功率_最大:2.5W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應商設備封裝:D-Pak
包裝:管件

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