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IRFR3518TRPBF 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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IRFR3518TRPBF詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 80V 38A DPAK
系列:*
制造商:International Rectifier
FET型:
FET特點:
漏極至源極電壓333Vdss444:
電流_連續漏極333Id4440a025000C:
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:
Id時的Vgs333th444(最大):
閘電荷333Qg4440a0Vgs:
輸入電容333Ciss4440a0Vds:
功率_最大:
安裝類型:
封裝/外殼:
供應商設備封裝:
包裝:

IRFR3518TRPBF詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 80V 38A DPAK
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:80V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:38A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:29 毫歐 @ 18A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:56nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:1710pF @ 25V
功率_最大:110W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應商設備封裝:D-Pak
包裝:帶卷 (TR)

IRFR3518TRPBF詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 80V 38A DPAK
系列:*
制造商:International Rectifier
FET型:
FET特點:
漏極至源極電壓333Vdss444:
電流_連續漏極333Id4440a025000C:
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:
Id時的Vgs333th444(最大):
閘電荷333Qg4440a0Vgs:
輸入電容333Ciss4440a0Vds:
功率_最大:
安裝類型:
封裝/外殼:
供應商設備封裝:
包裝:

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