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IRFR3707詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 61A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：61A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：13 毫歐 @ 15A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：19nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1990pF @ 15V; 功率_最大：87W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：D-Pak; 包裝：管件

IRFR3707PBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 61A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：61A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：13 毫歐 @ 15A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：19nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1990pF @ 15V; 功率_最大：87W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：D-Pak; 包裝：管件

IRFR3707TR詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 61A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：61A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：13 毫歐 @ 15A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：19nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1990pF @ 15V; 功率_最大：87W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

IRFR3707TRL詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 61A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：61A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：13 毫歐 @ 15A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：19nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1990pF @ 15V; 功率_最大：87W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

IRFR3707TRLPBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 61A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：61A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：13 毫歐 @ 15A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：19nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1990pF @ 15V; 功率_最大：87W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

IRFR3707TRPBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 61A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：61A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：13 毫歐 @ 15A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：19nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1990pF @ 15V; 功率_最大：87W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：D-Pak; 包裝：Digi-Reel®

HFBR-4522
配件 Avago Technologies US Inc. HDWR V-LINK PORT PLUGS 500PC
HLMP-CB1A-XY0DD
LED - 分立式 Avago Technologies US Inc. 徑向 LAMP 5MM INGAN BLUE 15DEG
IRF510STRL
FET - 單 Vishay Siliconix TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
IRFR3707TRLPBF
FET - 單 International Rectifier TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 30V 61A DPAK
GRM1556S1H3R5CZ01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0402（1005 公制） CAP CER 3.5PF 50V S2H 0402
FVXO-LC73B-10
振蕩器 Fox Electronics 6-SMD，無引線（DFN，LCC） OSC 10 MHZ 3.3V LVDS SMD
CY7C1372D-167AXC
存儲器 Cypress Semiconductor Corp 100-LQFP IC SRAM 18MBIT 167MHZ 100LQFP
IXFT40N30Q
FET - 單 IXYS TO-268-3，D³Pak（2 引線+接片），TO-268AA MOSFET N-CH 300V 40A TO-268
HFBR-4522Z
配件 Avago Technologies US Inc. HDWR V-LINK PORT PLUGS 500PC
GRM1556S1H5R1DZ01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0402（1005 公制） CAP CER 5.1PF 50V S2H 0402
IRF520
FET - 單 Vishay Siliconix TO-220-3 MOSFET N-CH 100V 9.2A TO-220AB
CY7C1372SV25-167AXC
存儲器 Cypress Semiconductor Corp 100-LQFP IC SRAM 18MB SYNC 100-TQFP
FVXO-LC73B-1000
振蕩器 Fox Electronics 6-SMD，無引線（DFN，LCC） OSC 1000 MHZ 3.3V LVDS SMD
IXFT44N50Q3
FET - 單 IXYS TO-268-3，D³Pak（2 引線+接片），TO-268AA MOSFET N-CH 500V 44A TO-268
HFBR-4526Z
配件 Avago Technologies US Inc. HDWR V-LINK DUPL CRIMP RING 500

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