IRFR4104PBF詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:40V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:42A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:5.5 毫歐 @ 42A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:89nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:2950pF @ 25V
- 功率_最大:140W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設備封裝:D-Pak
- 包裝:管件
IRFR4104TR詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:40V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:42A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:5.5 毫歐 @ 42A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:89nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:2950pF @ 25V
- 功率_最大:140W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設備封裝:D-Pak
- 包裝:帶卷 (TR)
IRFR4104TRL詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:40V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:42A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:5.5 毫歐 @ 42A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:89nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:2950pF @ 25V
- 功率_最大:140W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設備封裝:D-Pak
- 包裝:帶卷 (TR)
IRFR4104TRLPBF詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:40V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:42A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:5.5 毫歐 @ 42A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:89nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:2950pF @ 25V
- 功率_最大:140W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設備封裝:D-Pak
- 包裝:帶卷 (TR)
IRFR4104TRPBF詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:40V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:42A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:5.5 毫歐 @ 42A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:89nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:2950pF @ 25V
- 功率_最大:140W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設備封裝:D-Pak
- 包裝:帶卷 (TR)
IRFR4104TRPBF詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:40V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:42A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:5.5 毫歐 @ 42A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:89nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:2950pF @ 25V
- 功率_最大:140W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設備封裝:D-Pak
- 包裝:剪切帶 (CT)
- PMIC - 電源管理 - 專用 Fairchild Semiconductor 8-DIP(0.300",7.62mm) IC EARTH LEAKAGE DETECTOR 8-DIP
- 固定式 Johanson Technology Inc 0201(0603 公制) IND CER RF 3.3NH 0201
- FET - 單 International Rectifier TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
- 固定式 Taiyo Yuden 0603(1608 公制) INDUCTOR 47UH 35MA 10% 0603
- 陶瓷 Taiyo Yuden 1206(3216 公制) CAP CER 47UF 6.3V 20% X5R 1206
- 陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 4700PF 50V 10% RADIAL
- 嵌入式 - CPLD(復雜可編程邏輯器件) Lattice Semiconductor Corporation 256-LFBGA,CSPBGA IC PLD 2112LUTS 256-CABGA
- 配件 APM Hexseal TO-247-3 BOOT SWITCH TOGGLE BLACK
- PMIC - 電源管理 - 專用 Fairchild Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) IC EARTH LEAKAGE DETECTOR 8-SOP
- 照明保護 STMicroelectronics SC-74A,SOT-753 IC BYPASS SWITCH LED UNI SOT23-5
- 陶瓷 Taiyo Yuden 1206(3216 公制) CAP CER 22UF 6.3V Y5V 1206
- 陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 4700PF 100V X7R RADIAL
- 嵌入式 - CPLD(復雜可編程邏輯器件) Lattice Semiconductor Corporation 100-LQFP IC PLD 2112LUTS 100-TQFP
- DC DC Converters TDK-Lambda Americas Inc 8-DIP 模塊,1/4 磚 DC-DC PCB MOUNT QUARTER BRICK
- FET - 單 International Rectifier TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 MOSFET N-CH 55V 27A DPAK
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