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IRFR4104TR詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 40V 42A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：42A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5.5 毫歐 @ 42A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：89nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2950pF @ 25V; 功率_最大：140W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

IRFR4104TRL詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 40V 42A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：42A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5.5 毫歐 @ 42A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：89nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2950pF @ 25V; 功率_最大：140W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

IRFR4104TRLPBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 40V 42A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：42A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5.5 毫歐 @ 42A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：89nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2950pF @ 25V; 功率_最大：140W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

IRFR4104TRPBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 40V 42A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：42A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5.5 毫歐 @ 42A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：89nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2950pF @ 25V; 功率_最大：140W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

IRFR4104TRPBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 40V 42A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：42A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5.5 毫歐 @ 42A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：89nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2950pF @ 25V; 功率_最大：140W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：D-Pak; 包裝：剪切帶 (CT)

IRFR4104TRPBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 40V 42A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：42A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5.5 毫歐 @ 42A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：89nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2950pF @ 25V; 功率_最大：140W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：D-Pak; 包裝：Digi-Reel®

PBSS302NZ,135
晶體管(BJT) - 單路 NXP Semiconductors TO-261-4，TO-261AA TRANS NPN 20V 5.8A SOT-223
PCA23-B
標記 Panduit Corp 14-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） MKR WIRE CLIP ON B/W 60 PC
IRFR3711ZTRR
FET - 單 International Rectifier TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 20V 93A DPAK
P1300GALRP
TVS - 晶閘管 Littelfuse Inc DO-204AC，DO-15，軸向 SIDACTOR BI 120V 50A DO15
NZ2520SB-7.600000MHZ
振蕩器 NDK 4-SMD，無引線（DFN，LCC） OSCILLATOR 7.600000 MHZ 3V SMD
OSTVI210151
接線板 - 線至板 On Shore Technology Inc TERM BLOCK RISING CLAMP 21POS
P500-050
D-Sub Tripp Lite CABLE EXTENSION SVGA HD15M/F 50’
PBSS302PX,115
晶體管(BJT) - 單路 NXP Semiconductors TO-243AA TRANS PNP 20V 5.1A SOT-89
OSTYK50223330
接線座 - 隔板塊 On Shore Technology Inc CONN BARRIER STRIP 23CIRC 9.50MM
P1300SALRP
TVS - 晶閘管 Littelfuse Inc DO-214AA，SMB SIDACTOR BI 120V 150A DO214
NZ9F2V4ST5G
單二極管/齊納 ON Semiconductor SOD-923 DIODE ZENER 2.53V 200MW SOD923
P500-075
D-Sub Tripp Lite CABLE EXTENSION SVGA HD15M/F 75’
OSTVI214151
接線板 - 線至板 On Shore Technology Inc TERM BLOCK RISING CLAMP 21POS
OSTYK50224130
接線座 - 隔板塊 On Shore Technology Inc CONN BARRIER STRIP 24CIRC 9.50MM
PCA23-T
標記 Panduit Corp 14-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） MKR WIRE CLIP ON B/W 60 PC

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