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IRFR4105詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 27A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：27A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：45 毫歐 @ 16A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：34nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：700pF @ 25V; 功率_最大：68W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：D-Pak; 包裝：管件

IRFR4105PBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 27A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：27A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：45 毫歐 @ 16A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：34nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：700pF @ 25V; 功率_最大：68W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：D-Pak; 包裝：管件

IRFR4105TR詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 27A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：27A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：45 毫歐 @ 16A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：34nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：700pF @ 25V; 功率_最大：68W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

IRFR4105TRL詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 27A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：27A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：45 毫歐 @ 16A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：34nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：700pF @ 25V; 功率_最大：68W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

IRFR4105TRLPBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 27A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：27A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：45 毫歐 @ 16A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：34nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：700pF @ 25V; 功率_最大：68W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

IRFR4105TRPBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 27A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：27A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：45 毫歐 @ 16A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：34nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：700pF @ 25V; 功率_最大：68W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：D-Pak; 包裝：Digi-Reel®

H3DDS-2406M
矩形 Assmann WSW Components IDC CABLE - HKR24S/AE24M/HKR24S
IRR3V222
按鈕 APEM Components, LLC SWITCH PUSH SPST-NO 2A 250V
ISL6566ACRZ
PMIC - 穩壓器 - 專用型 Intersil 40-VFQFN 裸露焊盤 IC CTRLR PWM 3PHASE BUCK 40-QFN
IRFR4104TRRPBF
FET - 單 International Rectifier TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
H60060-3C
保險絲座 Cooper Bussmann FUSEBLOCK 3POS 2 X 4.9" CLASS H
GQM1885C1H110JB01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0603（1608 公制） CAP CER 11PF 50V 5% NP0 0603
H3DDS-2606M
矩形 Assmann WSW Components IDC CABLE - HKR26S/AE26M/HKR26S
HCPL-2400-060E
光隔離器 - 邏輯輸出 Avago Technologies US Inc. 8-DIP（0.300"，7.62mm） ISOLAT 3.75KVRMS 1CH UNIDIR 8DIP
H3DDS-2618M
矩形 Assmann WSW Components IDC CABLE - HKR26S/AE26M/HKR26S
ISL6566CRZR5184
PMIC - 穩壓器 - 專用型 Intersil 40-VFQFN 裸露焊盤 IC CTRLR PWM 3PHASE BUCK 40-QFN
H6030NL
共模扼流圈 Pulse Electronics Corporation 垂直式，8 鷗翼形 CHOKE COMMON MODE 120MHZ SMD
GQM1885C1H120JB01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0603（1608 公制） CAP CER 12PF 50V 5% NP0 0603
HCPL-2400-500E
光隔離器 - 邏輯輸出 Avago Technologies US Inc. 8-SMD，鷗翼型 ISOLAT 3.75KVRMS 1CH UNIDIR 8SMD
H3DDS-3018M
矩形 Assmann WSW Components IDC CABLE - HKR30S/AE30M/HKR30S
IRS2001MTRPBF
PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關 International Rectifier 16-VFQFN 裸露焊盤 IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 16MLPQ

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