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IRFR9020 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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IRFR9020詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH 50V 9.9A DPAK
系列:-
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:50V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:9.9A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:280 毫歐 @ 5.7A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:14nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:490pF @ 25V
功率_最大:42W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應商設備封裝:D-Pak
包裝:管件

IRFR9020PBF詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH 50V 9.9A DPAK
系列:-
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:50V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:9.9A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:280 毫歐 @ 5.7A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:14nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:490pF @ 25V
功率_最大:42W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應商設備封裝:D-Pak
包裝:管件

IRFR9020TR詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH 50V 9.9A DPAK
系列:-
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:50V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:9.9A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:280 毫歐 @ 5.7A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:14nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:490pF @ 25V
功率_最大:42W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應商設備封裝:D-Pak
包裝:帶卷 (TR)

IRFR9020TRL詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH 50V 9.9A DPAK
系列:-
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:50V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:9.9A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:280 毫歐 @ 5.7A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:14nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:490pF @ 25V
功率_最大:42W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應商設備封裝:D-Pak
包裝:帶卷 (TR)

IRFR9020TRLPBF詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH 50V 9.9A DPAK
系列:-
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:50V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:9.9A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:280 毫歐 @ 5.7A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:14nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:490pF @ 25V
功率_最大:42W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應商設備封裝:D-Pak
包裝:帶卷 (TR)

IRFR9020TRPBF詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH 50V 9.9A DPAK
系列:-
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:50V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:9.9A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:280 毫歐 @ 5.7A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:14nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:490pF @ 25V
功率_最大:42W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應商設備封裝:D-Pak
包裝:Digi-Reel®

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