IRFR9120NTR 全國供應商、價格、PDF資料
IRFR9120NTRL詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:100V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:6.6A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:480 毫歐 @ 3.9A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:27nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:350pF @ 25V
- 功率_最大:40W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設備封裝:D-Pak
- 包裝:帶卷 (TR)
IRFR9120NTRLPBF詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:100V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:6.6A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:480 毫歐 @ 3.9A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:27nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:350pF @ 25V
- 功率_最大:40W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設備封裝:D-Pak
- 包裝:帶卷 (TR)
IRFR9120NTRPBF詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:100V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:6.6A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:480 毫歐 @ 3.9A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:27nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:350pF @ 25V
- 功率_最大:40W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設備封裝:D-Pak
- 包裝:帶卷 (TR)
IRFR9120NTRPBF詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:100V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:6.6A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:480 毫歐 @ 3.9A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:27nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:350pF @ 25V
- 功率_最大:40W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設備封裝:D-Pak
- 包裝:剪切帶 (CT)
IRFR9120NTRPBF詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:100V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:6.6A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:480 毫歐 @ 3.9A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:27nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:350pF @ 25V
- 功率_最大:40W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設備封裝:D-Pak
- 包裝:Digi-Reel®
IRFR9120NTRR詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:100V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:6.6A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:480 毫歐 @ 3.9A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:27nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:350pF @ 25V
- 功率_最大:40W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設備封裝:D-Pak
- 包裝:帶卷 (TR)
- 線性 - 音頻放大器 Texas Instruments 18-WFBGA IC AMP AUDIO PWR 1.5W AB 18USMD
- FET - 單 International Rectifier TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
- FET - 單 Infineon Technologies TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
- 薄膜 Panasonic Electronic Components 徑向 CAP FILM 0.012UF 400VDC RADIAL
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 14-SOIC(0.154",3.90mm 寬) IC AMP PREC QUAD LO PWR 14SOIC
- PMIC - 電壓基準 Intersil 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) IC VREF SERIES PREC 1.25V 8-SOIC
- 線性 - 音頻放大器 Texas Instruments 12-WFBGA IC AMP AUDIO SPEAKER DVR 12USMD
- 線性 - 音頻放大器 Texas Instruments 36-WFBGA IC AMP AUDIO 2.8W D QUAD 36USMD
- 連接器,互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 23POS W/SKT JAM NUT
- 薄膜 Panasonic Electronic Components 徑向 CAP FILM 0.012UF 400VDC RADIAL
- 線性 - 音頻放大器 Texas Instruments 12-WFBGA IC AMP AUDIO SPEAKER DVR 12USMD
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 14-TSSOP(0.173",4.40mm 寬) IC AMP PREC QUAD LO PWR 14TSSOP
- PMIC - 電壓基準 Intersil 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) IC VREF SERIES PREC 3V 8-SOIC
- 線性 - 音頻放大器 Texas Instruments 32-WFQFN 裸露焊盤 IC AMP AUDIO 2.8W D QUAD 32LLP
- 連接器,互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 11POS JAM NUT PIN
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