IRFR9120TR 全國供應商、價格、PDF資料
IRFR9120TR詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 100V 5.6A DPAK
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:100V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:5.6A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:600 毫歐 @ 3.4A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:18nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:390pF @ 25V
- 功率_最大:2.5W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設備封裝:D-Pak
- 包裝:帶卷 (TR)
IRFR9120TRL詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 100V 5.6A DPAK
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:100V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:5.6A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:600 毫歐 @ 3.4A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:18nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:390pF @ 25V
- 功率_最大:2.5W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設備封裝:D-Pak
- 包裝:帶卷 (TR)
IRFR9120TRLPBF詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 100V 5.6A DPAK
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:100V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:5.6A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:600 毫歐 @ 3.4A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:18nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:390pF @ 25V
- 功率_最大:2.5W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設備封裝:D-Pak
- 包裝:Digi-Reel®
IRFR9120TRLPBF詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 100V 5.6A DPAK
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:100V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:5.6A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:600 毫歐 @ 3.4A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:18nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:390pF @ 25V
- 功率_最大:2.5W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設備封裝:D-Pak
- 包裝:帶卷 (TR)
IRFR9120TRLPBF詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 100V 5.6A DPAK
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:100V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:5.6A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:600 毫歐 @ 3.4A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:18nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:390pF @ 25V
- 功率_最大:2.5W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設備封裝:D-Pak
- 包裝:剪切帶 (CT)
IRFR9120TRPBF詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 100V 5.6A DPAK
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:100V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:5.6A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:600 毫歐 @ 3.4A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:18nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:390pF @ 25V
- 功率_最大:2.5W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設備封裝:D-Pak
- 包裝:帶卷 (TR)
- 振蕩器 Citizen Finetech Miyota 4-SMD,無引線(DFN,LCC) OSC TCXO 19.200MHZ 3.0V SMD
- 振蕩器 Citizen Finetech Miyota 4-SMD,無引線(DFN,LCC) OSC TCXO 19.200MHZ 3.0V SMD
- FET - 單 International Rectifier TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
- 連接器,互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 6POS PANEL MNT W/SCKT
- 陶瓷 Vishay BC Components 徑向,圓盤 CAP CER 330PF 2KV 10% RADIAL
- 薄膜 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 1206(3216 公制) CAP FILM 1200PF 100VDC 1206
- 振蕩器 Citizen Finetech Miyota 4-SMD,無引線(DFN,LCC) OSC TCXO 26.000MHZ 3.0V SMD
- FET - 單 Vishay Siliconix TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 MOSFET P-CH 100V 5.6A DPAK
- 時鐘/計時 - 時鐘緩沖器,驅動器 IDT, Integrated Device Technology Inc 20-SOIC(0.295",7.50mm 寬) IC CLOCK BUFFER 1:5 80MHZ 20SOIC
- 陶瓷 Vishay BC Components 徑向,圓盤 CAP CER 330PF 2KV 10% RADIAL
- 連接器,互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 12POS PANEL MNT W/SCKT
- 薄膜 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 1206(3216 公制) CAP FILM 1200PF 100VDC 1206
- 振蕩器 Citizen Finetech Miyota 4-SMD,無引線(DFN,LCC) OSC TCXO 16.800MHZ 3.0V SMD
- FET - 單 Vishay Siliconix TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 MOSFET P-CH 200V 1.9A DPAK
- 時鐘/計時 - 時鐘緩沖器,驅動器 IDT, Integrated Device Technology Inc 20-SOIC(0.295",7.50mm 寬) IC CLOCK BUFFER 1:5 80MHZ 20SOIC
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