IRFR9N20DTR 全國供應商、價格、PDF資料
IRFR9N20DTR詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:200V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:9.4A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:380 毫歐 @ 5.6A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):5.5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:27nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:560pF @ 25V
- 功率_最大:86W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設備封裝:D-Pak
- 包裝:帶卷 (TR)
IRFR9N20DTRL詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:200V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:9.4A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:380 毫歐 @ 5.6A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):5.5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:27nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:560pF @ 25V
- 功率_最大:86W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設備封裝:D-Pak
- 包裝:帶卷 (TR)
IRFR9N20DTRLPBF詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:200V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:9.4A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:380 毫歐 @ 5.6A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):5.5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:27nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:560pF @ 25V
- 功率_最大:86W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設備封裝:D-Pak
- 包裝:帶卷 (TR)
IRFR9N20DTRPBF詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:200V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:9.4A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:380 毫歐 @ 5.6A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):5.5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:27nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:560pF @ 25V
- 功率_最大:86W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設備封裝:D-Pak
- 包裝:Digi-Reel®
IRFR9N20DTRPBF詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:200V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:9.4A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:380 毫歐 @ 5.6A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):5.5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:27nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:560pF @ 25V
- 功率_最大:86W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設備封裝:D-Pak
- 包裝:帶卷 (TR)
IRFR9N20DTRPBF詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:200V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:9.4A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:380 毫歐 @ 5.6A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):5.5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:27nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:560pF @ 25V
- 功率_最大:86W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設備封裝:D-Pak
- 包裝:剪切帶 (CT)
- 嵌入式 - CPLD(復雜可編程邏輯器件) Lattice Semiconductor Corporation 144-LQFP IC FPGA 2.28KLUTS 144TQFP
- FET - 單 Vishay Siliconix TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
- PMIC - 穩壓器 - 線性 Fairchild Semiconductor TO-220-3 IC REG LDO -8V 1A TO-220
- 按鈕 E-Switch 塑模磁珠 SWITCH PUSH SPDT 0.3A 30V
- 保險絲 - 電氣,特制 Littelfuse Inc Hockey Puck FUSE SEMICONDUCTOR 3500A 300VAC
- 固定式 Kemet 0603(1608 公制) INDUCTOR HI FREQ 150NH 5% 0603
- PMIC - MOSFET,電橋驅動器 - 外部開關 International Rectifier 14-SOIC(0.154",3.90mm 寬) IC DRIVER HALF-BRIDGE 14-SOIC
- 陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 0.047UF 200V 10% RADIAL
- 嵌入式 - CPLD(復雜可編程邏輯器件) Lattice Semiconductor Corporation 132-LFBGA,CSPBGA IC PLD 2280LUTS 101I/O 132-BGA
- 配件 Alpha Wire 塑模磁珠 WIRE LACING CORD & TAPE 50LBS
- 顯示器模塊 - LED 字符與數字 Rohm Semiconductor 10-DIP(0.300",7.62mm) DISPLAY 7SEG 10.16MM 1DGT BLU CA
- 固定式 Kemet 0603(1608 公制) INDUCTOR HI FREQ 150NH 5% 0603
- PMIC - MOSFET,電橋驅動器 - 外部開關 International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) IC DRIVER HALF BRIDGE 8SOIC
- 陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 0.047UF 200V 10% RADIAL
- 嵌入式 - CPLD(復雜可編程邏輯器件) Lattice Semiconductor Corporation 132-LFBGA,CSPBGA IC PLD 4320LUTS 132-CSBGA
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