IRFRC20 全國供應商、價格、PDF資料

IRFRC20詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 600V 2A DPAK

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：600V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：2A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.4 歐姆 @ 1.2A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：18nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：350pF @ 25V

功率_最大：2.5W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

供應商設備封裝：D-Pak

包裝：管件

IRFRC20PBF詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 600V 2A DPAK

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：600V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：2A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.4 歐姆 @ 1.2A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：18nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：350pF @ 25V

功率_最大：2.5W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

供應商設備封裝：D-Pak

包裝：管件

IRFRC20TR詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 600V 2A DPAK

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：600V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：2A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.4 歐姆 @ 1.2A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：18nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：350pF @ 25V

功率_最大：2.5W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

供應商設備封裝：D-Pak

包裝：帶卷 (TR)

IRFRC20TRL詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 600V 2A DPAK

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：600V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：2A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.4 歐姆 @ 1.2A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：18nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：350pF @ 25V

功率_最大：2.5W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

供應商設備封裝：D-Pak

包裝：帶卷 (TR)

IRFRC20TRLPBF詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 600V 2A DPAK

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：600V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：2A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.4 歐姆 @ 1.2A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：18nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：350pF @ 25V

功率_最大：2.5W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

供應商設備封裝：D-Pak

包裝：帶卷 (TR)

IRFRC20TRPBF詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 600V 2A DPAK

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：600V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：2A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.4 歐姆 @ 1.2A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：18nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：350pF @ 25V

功率_最大：2.5W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

供應商設備封裝：D-Pak

包裝：剪切帶 (CT)

• ISD1790SYIR

  接口 - 語音錄制和重放    Nuvoton Technology Corporation of America    28-SOIC（0.295"，7.50mm 寬）    IC VOICE REC/PLAY 90SEC 28-SOIC

• IRL2703STRR

  FET - 單    International Rectifier    TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB    MOSFET N-CH 30V 24A D2PAK

• E39-E10

  配件    Omron Electronics Inc-IA Div    8-DIP 模塊，1/8 磚    ADJUSTABLE APERTURE

• IRFRC20TR

  FET - 單    Vishay Siliconix    TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63    MOSFET N-CH 600V 2A DPAK

• ISL6522BCBZ-T

  PMIC - 穩壓器 - DC DC 切換控制器    Intersil    14-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    IC REG CTRLR BUCK PWM 14SOIC

• HCPL-3760-500E

  光隔離器 - 邏輯輸出    Avago Technologies US Inc.    8-SMD，鷗翼型    OTOCOUPLER AC/DC-LOGIC 8-SMD

• HHR-65TAB17F9

  電池組    Panasonic - BSG        BATTERY PACK NIMH 10.8V 650 MAH

• ISL43640IU-T

  接口 - 模擬開關，多路復用器，多路分解器    Intersil    10-TFSOP，10-MSOP（0.118"，3.00mm 寬）    IC MUX/DEMUX 4X1 10MSOP

• ISD1810SY

  接口 - 語音錄制和重放    Nuvoton Technology Corporation of America    28-SOIC（0.295"，7.50mm 寬）    IC VOICE REC/PLAY 10SEC 28-SOIC

• E39-E11

  配件    Omron Electronics Inc-IA Div    8-DIP 模塊，1/8 磚    FILTR MUTUAL INTERFRC FOR E3Z-TA

• ISL6522BIBZS2698

  PMIC - 穩壓器 - DC DC 切換控制器    Intersil    14-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    IC REG CTRLR BUCK PWM 14SOIC

• HCPL-4100#300

  專用型    Avago Technologies US Inc.    8-SMD，鷗翼型    OPTOCOUPLER 20MA LOOP 8-SMD GW

• HHR-65TAB17L2X4

  電池組    Panasonic - BSG        BATTERY PACK NIMH 9.6V 650 MAH

• ISL43741IR-T

  接口 - 模擬開關，多路復用器，多路分解器    Intersil    20-VFQFN 裸露焊盤    IC MUX/DEMUX DUAL 4X1 20QFN

• ISD2353

  顯示器模塊 - LED 點陣和簇    OSRAM Opto Semiconductors Inc        DISPLAY 4CHAR .200" HI EFF GREEN