IRFS17N20D 全國供應商、價格、PDF資料
IRFS17N20D詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:200V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:16A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:170 毫歐 @ 9.8A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):5.5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:50nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1100pF @ 25V
- 功率_最大:3.8W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:D2PAK
- 包裝:管件
IRFS17N20DPBF詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:200V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:16A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:170 毫歐 @ 9.8A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):5.5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:50nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1100pF @ 25V
- 功率_最大:3.8W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:D2PAK
- 包裝:管件
IRFS17N20DTRL詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:200V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:16A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:170 毫歐 @ 9.8A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):5.5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:50nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1100pF @ 25V
- 功率_最大:3.8W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:D2PAK
- 包裝:帶卷 (TR)
IRFS17N20DTRLP詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:200V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:16A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:170 毫歐 @ 9.8A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):5.5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:50nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1100pF @ 25V
- 功率_最大:3.8W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:D2PAK
- 包裝:帶卷 (TR)
IRFS17N20DTRR詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:200V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:16A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:170 毫歐 @ 9.8A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):5.5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:50nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1100pF @ 25V
- 功率_最大:3.8W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:D2PAK
- 包裝:帶卷 (TR)
IRFS17N20DTRRP詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:200V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:16A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:170 毫歐 @ 9.8A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):5.5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:50nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1100pF @ 25V
- 功率_最大:3.8W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:D2PAK
- 包裝:帶卷 (TR)
- 接線座 - 隔板塊 On Shore Technology Inc CONN BARRIER STRIP 2CIRC 9.50MM
- 板對板 - 陣列,邊緣類型,包廂 3M CONN PLUG 140POS R/A .050" GLD
- 接線板 - 線至板 On Shore Technology Inc TERM BLOCK RISING CLAMP 15POS
- FET - 單 International Rectifier TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 200V 16A D2PAK
- 端子 - 鏟形 Panduit Corp DO-214AA,SMB TERM FORK NON INS 16-14AWG
- 接口 - I/O 擴展器 NXP Semiconductors 16-SOIC(0.295",7.50mm 寬) IC I/O EXPANDER I2C 8B 16SOIC
- 接線座 - 隔板塊 On Shore Technology Inc CONN BARRIER STRIP 5CIRC 9.50MM
- FET - 單 International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC
- 板對板 - 陣列,邊緣類型,包廂 3M CONN SOCKT 180POS STR .050" GOLD
- 振蕩器 Connor-Winfield 6-SMD,無引線(DFN,LCC) OSC 156.2500MHZ 2.5V LVPECL SMD
- 晶體管(BJT) - 單路 Fairchild Semiconductor TO-261-4,TO-261AA TRANS NPN CR DVR 60V 4A SOT223
- 接線座 - 隔板塊 On Shore Technology Inc CONN BARRIER STRIP 19CIRC 9.50MM
- FET - 單 International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) MOSFET N-CH 30V 24A SO-8
- 接口 - I/O 擴展器 NXP Semiconductors 24-VFQFN 裸露焊盤 IC I/O EXPANDER I2C/SPI 24HVQFN
- 多芯導線 General Cable/Carol Brand 6-SMD,無引線(DFN,LCC) 14 AWG 2C SOLID BC SGPVC
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