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IRFU120詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 7.7A I-PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：7.7A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：270 毫歐 @ 4.6A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：16nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：360pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA; 供應商設備封裝：TO-251AA; 包裝：管件

IRFU1205詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 44A I-PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：44A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：27 毫歐 @ 26A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：65nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1300pF @ 25V; 功率_最大：107W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-251-3 長引線，IPak，TO-251AB; 供應商設備封裝：I-Pak; 包裝：管件

IRFU1205PBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 44A I-PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：44A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：27 毫歐 @ 26A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：65nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1300pF @ 25V; 功率_最大：107W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-251-3 長引線，IPak，TO-251AB; 供應商設備封裝：I-Pak; 包裝：管件

IRFU120ATU詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 8.4A IPAK; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：8.4A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：200 毫歐 @ 4.2A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：22nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：480pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA; 供應商設備封裝：I-Pak; 包裝：管件

IRFU120NPBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 9.4A I-PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：9.4A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：210 毫歐 @ 5.6A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：330pF @ 25V; 功率_最大：48W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-251-3 長引線，IPak，TO-251AB; 供應商設備封裝：I-Pak; 包裝：管件

IRFU120PBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 7.7A I-PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：7.7A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：270 毫歐 @ 4.6A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：16nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：360pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA; 供應商設備封裝：TO-251AA; 包裝：管件

LM4930ITL/NOPB
線性 - 音頻放大器 Texas Instruments 36-WFBGA IC AUDIO SUBSYSTEM 1W AB 36USMD
ECQ-E4473JF
薄膜 Panasonic Electronic Components 徑向 CAP FILM 0.047UF 400VDC RADIAL
ISL23315WFUZ-T7A
數據采集 - 數字電位器 Intersil 10-TFSOP，10-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） IC DGTL POT 256POS 10K 10MSOP
IRFU1205
FET - 單 International Rectifier TO-251-3 長引線，IPak，TO-251AB MOSFET N-CH 55V 44A I-PAK
IPP039N04L G
FET - 單 Infineon Technologies TO-220-3 MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
IN1030 RFI 1/2-32 1
配件 APM Hexseal SC-74，SOT-457 BOOT FULL TOG 1/2-32 GRAY RFI
LMR10515XSD/NOPB
PMIC - 穩壓器 - DC DC 開關穩壓器 Texas Instruments 6-WDFN 裸露焊盤 IC REG BUCK ADJ 1.5A 6LLP
LM4931ITL/NOPB
線性 - 音頻放大器 Texas Instruments 42-WFBGA IC AUDIO SUBSYSTEM 1.1W D 42USMD
ISL23318TFRUZ-T7A
數據采集 - 數字電位器 Intersil 10-UFQFN IC DGTL POT 100K 1CH 10UTQFN
IN1030 RFI 1/2-32 1
配件 APM Hexseal SC-74，SOT-457 BOOT FULL TOG 1/2-32 GRAY RFI
LMR10515XSDE/NOPB
PMIC - 穩壓器 - DC DC 開關穩壓器 Texas Instruments 6-WDFN 裸露焊盤 IC REG BUCK ADJ 1.5A 6LLP
LM49321RL/NOPB
線性 - 音頻放大器 Texas Instruments 36-WFBGA IC AUD SUBSYSTM 1.25MW 36USMD
ECQ-E4473RJF
薄膜 Panasonic Electronic Components 徑向 CAP FILM 0.047UF 400VDC RADIAL
ISL23318UFRUZ-T7A
數據采集 - 數字電位器 Intersil 10-UFQFN IC DGTL POT 1CH 50K 10UTQFN
IRFU120ZPBF
FET - 單 International Rectifier TO-251-3 長引線，IPak，TO-251AB MOSFET N-CH 100V 8.7A I-PAK

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