IRFU13N20DPBF詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 200V 13A I-PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:200V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:13A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:235 毫歐 @ 8A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):5.5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:38nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:830pF @ 25V
- 功率_最大:110W
- 安裝類型:通孔
- 封裝/外殼:TO-251-3 長引線,IPak,TO-251AB
- 供應商設備封裝:I-Pak
- 包裝:管件
- 熱 - 墊,片 t-Global Technology H48-6 SHEET 300X300X3MM
- FET - 單 International Rectifier TO-251-3 長引線,IPak,TO-251AB MOSFET N-CH 55V 17A I-PAK
- 磁性 - 位置,近程,速度(模塊) Honeywell Sensing and Control 桶狀,塑料外殼,法蘭安裝 IC SENSR 83.25MM HALL GEAR TOOTH
- 固定式 Vishay Dale INDUCTOR WW 680UH 10% 1812
- FET - 單 International Rectifier TO-251-3 長引線,IPak,TO-251AB MOSFET N-CH 250V 14A I-PAK
- FET - 單 Fairchild Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
- 熱 - 墊,片 t-Global Technology H48-6A SHEET 320X320X0.3MM W/ADH
- FET - 單 Infineon Technologies TO-251-3 長引線,IPak,TO-251AB MOSFET N-CH 30V 50A IPAK
- 磁性 - 位置,近程,速度(模塊) Honeywell Sensing and Control 桶狀,塑料外殼,法蘭安裝 IC SENSOR 40MM HALL GEAR TOOTH
- FET - 單 Fairchild Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) MOSFET N-CH 30V 21A 8SOIC
- FET - 單 International Rectifier TO-251-3 長引線,IPak,TO-251AB MOSFET N-CH 30V 33A I-PAK
- FET - 單 Infineon Technologies TO-251-3 長引線,IPak,TO-251AB MOSFET N-CH 30V 40A TO-251-3
- 熱 - 墊,片 t-Global Technology H48-6 SHEET 320X320X3MM
- 撥動開關 CW Industries 徑向 SWITCH TOGGLE SPDT 12A 250V
- 固定式 Vishay Dale 1812(4532 公制) INDUCTOR WW 270NH 10% 1812
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