IRFZ34S 全國供應商、價格、PDF資料

IRFZ34S詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：60V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：30A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：50 毫歐 @ 18A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：46nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：1200pF @ 25V

功率_最大：3.7W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應商設備封裝：D2PAK

包裝：管件

IRFZ34STRL詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：60V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：30A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：50 毫歐 @ 18A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：46nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：1200pF @ 25V

功率_最大：3.7W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應商設備封裝：D2PAK

包裝：帶卷 (TR)

IRFZ34STRLPBF詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：60V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：30A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：50 毫歐 @ 18A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：46nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：1200pF @ 25V

功率_最大：3.7W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應商設備封裝：D2PAK

包裝：帶卷 (TR)

IRFZ34STRR詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：60V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：30A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：50 毫歐 @ 18A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：46nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：1200pF @ 25V

功率_最大：3.7W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應商設備封裝：D2PAK

包裝：帶卷 (TR)

• ISC1812ESR18M

  固定式    Vishay Dale    1812（4532 公制）    INDUCTOR WW 180NH 20% 1812

• IRFZ24STRL

  FET - 單    Vishay Siliconix    TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB    MOSFET N-CH 60V 17A D2PAK

• FDS6894A

  FET - 陣列    Fairchild Semiconductor    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET N-CH DUAL 20V 8A 8SOIC

• IRFZ34NL

  FET - 單    International Rectifier    TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA    MOSFET N-CH 55V 29A TO-262

• H48-6G-50-10-0.8-1A

  熱 - 墊，片    t-Global Technology        H48-6G 50X10X0.8MM W/ADH

• IR/265500

  風扇 - 配件    EBM-Papst Industries Inc    8-DIP 模塊，1/4 磚    INLET RING F/RH40M IMPELLER SER

• GJM0335C1E5R5CB01D

  陶瓷    Murata Electronics North America    0201（0603 公制）    CAP CER 5.5PF 25V NP0 0201

• ISC1812ESR22K

  固定式    Vishay Dale    1812（4532 公制）    INDUCTOR WW 220NH 10% 1812

• IRFZ34NSPBF

  FET - 單    International Rectifier    TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB    MOSFET N-CH 55V 29A D2PAK

• IR/265502

  風扇 - 配件    EBM-Papst Industries Inc    8-DIP 模塊，1/4 磚    INLET RING F/RH50M IMPELLER SER

• GJM0335C1E5R5DB01D

  陶瓷    Murata Electronics North America    0201（0603 公制）    CAP CER 5.5PF 25V NP0 0201

• H48-6G-640-320-3.0-1A

  熱 - 墊，片    t-Global Technology        H48-6 SHEET 640X320X3MM W/ADH

• ISC1812ESR27M

  固定式    Vishay Dale    1812（4532 公制）    INDUCTOR WW 270NH 20% 1812

• IRFZ44EL

  FET - 單    International Rectifier    TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA    MOSFET N-CH 60V 48A TO-262

• FDS6930B

  FET - 陣列    Fairchild Semiconductor    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）    MOSFET N-CH DUAL 30V 5.5A 8-SOIC