IRFZ44NSTR 全國供應商、價格、PDF資料
IRFZ44NSTRLPBF詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:55V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:49A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:17.5 毫歐 @ 25A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:63nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1470pF @ 25V
- 功率_最大:3.8W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:D2PAK
- 包裝:帶卷 (TR)
IRFZ44NSTRLPBF詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:55V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:49A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:17.5 毫歐 @ 25A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:63nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1470pF @ 25V
- 功率_最大:3.8W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:D2PAK
- 包裝:剪切帶 (CT)
IRFZ44NSTRLPBF詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:55V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:49A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:17.5 毫歐 @ 25A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:63nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1470pF @ 25V
- 功率_最大:3.8W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:D2PAK
- 包裝:Digi-Reel®
IRFZ44NSTRR詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:55V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:49A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:17.5 毫歐 @ 25A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:63nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1470pF @ 25V
- 功率_最大:3.8W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:D2PAK
- 包裝:帶卷 (TR)
IRFZ44NSTRRPBF詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:55V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:49A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:17.5 毫歐 @ 25A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:63nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1470pF @ 25V
- 功率_最大:3.8W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:D2PAK
- 包裝:帶卷 (TR)
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div L-BRACKET REAR MNT VERT FOR E3V3
- 固定式 TT Electronics/BI 徑向 RADIAL LEAD INDUCTORS
- FET - 單 International Rectifier TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 60V 48A D2PAK
- 光學 - 光斷續器 - 槽型 - 邏輯輸出 Omron Electronics Inc-IA Div 模塊,預接線 SENSOR PHOTOELECTRIC 10M
- 其它 International Rectifier TO-220-3 MOSFET N-CH 20V 4.2A 8SOIC
- 接口 - 驅動器,接收器,收發器 Intersil 16-TSSOP(0.173",4.40mm 寬) IC RCVR RS485/422 QD ESD 16TSSOP
- PMIC - 穩壓器 - 線性 Intersil 10-VFDFN 裸露焊盤 IC REG LDO 1.5V/1.8V .3A 10-DFN
- FET - 單 International Rectifier TO-220-3 MOSFET N-CH 30V 78A TO220AB
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div BRACKET FOR E3XR
- FET - 單 International Rectifier TO-220-3 MOSFET N-CH 40V 75A TO-220AB
- 光學 - 光斷續器 - 槽型 - 邏輯輸出 Omron Electronics Inc-IA Div 模塊,預接線 SENSOR PHOTOELECTRIC 10M
- 接口 - 驅動器,接收器,收發器 Intersil 16-TSSOP(0.173",4.40mm 寬) IC RCVR RS485/422 QD ESD 16TSSOP
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div BRACKET FOR E3XR
- PMIC - 穩壓器 - 線性 Intersil 10-VFDFN 裸露焊盤 IC REG LDO 2.5V/2V .3A 10-DFN
- FET - 單 Vishay Siliconix 4-DIP(0.300",7.62mm) MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-DIP
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