IRFZ44Z詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 55V 51A TO-220AB
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:55V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:51A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:13.9 毫歐 @ 31A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:43nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1420pF @ 25V
- 功率_最大:80W
- 安裝類型:通孔
- 封裝/外殼:TO-220-3
- 供應商設備封裝:TO-220AB
- 包裝:管件
IRFZ44ZL詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 55V 51A TO-262
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:55V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:51A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:13.9 毫歐 @ 31A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:43nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1420pF @ 25V
- 功率_最大:80W
- 安裝類型:通孔
- 封裝/外殼:TO-262-3,長引線,I²Pak,TO-262AA
- 供應商設備封裝:TO-262
- 包裝:管件
IRFZ44ZLPBF詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 55V 51A TO-262
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:55V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:51A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:13.9 毫歐 @ 31A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:43nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1420pF @ 25V
- 功率_最大:80W
- 安裝類型:通孔
- 封裝/外殼:TO-262-3,長引線,I²Pak,TO-262AA
- 供應商設備封裝:TO-262
- 包裝:管件
IRFZ44ZPBF詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 55V 51A TO-220AB
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:55V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:51A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:13.9 毫歐 @ 31A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:43nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1420pF @ 25V
- 功率_最大:80W
- 安裝類型:通孔
- 封裝/外殼:TO-220-3
- 供應商設備封裝:TO-220AB
- 包裝:管件
IRFZ44ZS詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:55V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:51A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:13.9 毫歐 @ 31A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:43nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1420pF @ 25V
- 功率_最大:80W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:D2PAK
- 包裝:管件
IRFZ44ZSPBF詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:55V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:51A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:13.9 毫歐 @ 31A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:43nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:1420pF @ 25V
- 功率_最大:80W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
- 供應商設備封裝:D2PAK
- 包裝:管件
- PMIC - 穩壓器 - DC DC 切換控制器 Intersil 28-SOIC(0.295",7.50mm 寬) IC REG CTRLR BUCK PWM VM 28-SOIC
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div MOUNTING CHUCK FOR GENERAL FIBER
- FET - 單 International Rectifier TO-262-3,長引線,I²Pak,TO-262AA MOSFET N-CH 60V 57A TO-262
- FET - 單 International Rectifier TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT-23-3
- 光隔離器 - 邏輯輸出 Avago Technologies US Inc. 8-SMD,鷗翼型 OPTOCOUPLER 1MBD ALGAAS 8-SMD
- 配件 NKK Switches 模塊 BOARD LOGIC IS15ABFP4RGB & AT548
- RF 放大器 Intersil 6-WFDFN 裸露焊盤 IC AMP MMIC BIPOLAR DIFF 6-TDFN
- 光學 - 反射式 - 邏輯輸出 Omron Electronics Inc-IA Div 模塊,預接線 SENSOR OPTO REFL 2M PREWIRED MOD
- 評估板 - DC/DC 與 AC/DC(離線)SMPS Intersil 32-VFQFN 裸露焊盤 EVALUATION BOARD 2 ISL6559
- FET - 單 International Rectifier TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-3
- 光隔離器 - 晶體管,光電輸出 Avago Technologies US Inc. 6-SOIC(0.173",4.40mm 寬,5 引線) OPTOCOUPLER 1MBS TTL/IPM SO-5
- 配件 NKK Switches 模塊 BOARD LOGIC IS15ABFP4RGB & AT548
- 光學 - 反射式 - 邏輯輸出 Omron Electronics Inc-IA Div 模塊,預接線 SENS OPTO REFL 5M PREWIRED MOD
- 線性 - 放大器 - 視頻放大器和頻緩沖器 Intersil 12-WFQFN 裸露焊盤 IC GAIN BLOCK R-R 400MHZ 12TQFN
- PMIC - 穩壓器 - 專用型 Intersil 40-VFQFN 裸露焊盤 IC CTRLR PWM MULTIPHASE 40-QFN
金山区|
北川|
江陵县|
佛学|
富川|
瑞安市|
宁夏|
连城县|
宜兴市|
长治县|
大关县|
平江县|
二连浩特市|
出国|
安徽省|
庆城县|
阿拉善左旗|
阜康市|
化州市|
沐川县|
易门县|
彰化市|
安溪县|
昌邑市|
喀喇|
杂多县|
灵台县|
永胜县|
安阳市|
渑池县|
大连市|
安泽县|
离岛区|
湖北省|
天祝|
浮梁县|
大兴区|
禄丰县|
佳木斯市|
广宗县|
南召县|