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IRFZ46NS 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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IRFZ46NS詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 55V 53A D2PAK
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:55V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:53A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:16.5 毫歐 @ 28A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:72nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:1696pF @ 25V
功率_最大:3.8W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
供應商設備封裝:D2PAK
包裝:管件

IRFZ46NSTRL詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 55V 53A D2PAK
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:55V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:53A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:16.5 毫歐 @ 28A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:72nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:1696pF @ 25V
功率_最大:3.8W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
供應商設備封裝:D2PAK
包裝:帶卷 (TR)

IRFZ46NSTRLPBF詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 55V 53A D2PAK
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:55V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:53A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:16.5 毫歐 @ 28A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:72nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:1696pF @ 25V
功率_最大:3.8W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
供應商設備封裝:D2PAK
包裝:Digi-Reel®

IRFZ46NSTRLPBF詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 55V 53A D2PAK
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:55V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:53A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:16.5 毫歐 @ 28A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:72nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:1696pF @ 25V
功率_最大:3.8W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
供應商設備封裝:D2PAK
包裝:帶卷 (TR)

IRFZ46NSTRLPBF詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 55V 53A D2PAK
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:55V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:53A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:16.5 毫歐 @ 28A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:72nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:1696pF @ 25V
功率_最大:3.8W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
供應商設備封裝:D2PAK
包裝:剪切帶 (CT)

IRFZ46NSTRRPBF詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 55V 53A D2PAK
系列:HEXFET®
制造商:International Rectifier
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:55V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:53A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:16.5 毫歐 @ 28A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:72nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:1696pF @ 25V
功率_最大:3.8W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
供應商設備封裝:D2PAK
包裝:帶卷 (TR)

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