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IRL1004S詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 40V 130A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：130A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.5 毫歐 @ 78A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：100nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：5330pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D2PAK; 包裝：管件

IRL1004SPBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 40V 130A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：130A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.5 毫歐 @ 78A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：100nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：5330pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D2PAK; 包裝：管件

IRL1004STRL詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 40V 130A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：130A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.5 毫歐 @ 78A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：100nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：5330pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

IRL1004STRLPBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 40V 130A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：130A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.5 毫歐 @ 78A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：100nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：5330pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

IRL1004STRLPBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 40V 130A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：130A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.5 毫歐 @ 78A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：100nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：5330pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D2PAK; 包裝：Digi-Reel®

IRL1004STRLPBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 40V 130A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：130A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.5 毫歐 @ 78A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：100nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：5330pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D2PAK; 包裝：剪切帶 (CT)

P0300ECRP1
TVS - 晶閘管 Littelfuse Inc TO-226-2，TO-92-2（TO-226AC） SIDACTOR BI 25V 400A TO-92
MPS6534_D75Z
晶體管(BJT) - 單路 Fairchild Semiconductor TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引線 TRANS GP PNP 40V 800MA TO-92
IRKU71/16A
SCR Vishay Semiconductors ADD-A-PAK（3 + 4） SCR CC 2SCR 1600V 70A ADD-A-PAK
P227EE2B18CTAGBLK
按鈕 E-Switch SWITCH PUSHBUTTON DPDT 7A 125V
ISC1812RV220J
固定式 Vishay Dale 1812（4532 公制） INDUCTOR WW 22UH 5% 1812
OSTYD122150
接線板 - 線至板 On Shore Technology Inc CONN TERM BLOCK 5.08MM 12POS PCB
ISL84544IHZ-T
接口 - 模擬開關，多路復用器，多路分解器 Intersil SOT-23-6 IC SWITCH SPDT SOT23-6
P0300SALRP
TVS - 晶閘管 Littelfuse Inc DO-214AA，SMB SIDACTOR BI 25V 150A DO-214AA
P288-F101
電池組 Panasonic - BSG 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） BATTERY PACK NICAD 12.0V 2400MAH
P227EE2B20B
按鈕 E-Switch SWITCH PUSHBUTTON DPDT 7A 125V
ISC1812RV271K
固定式 Vishay Dale 1812（4532 公制） INDUCTOR WW 270UH 10% 1812
OSTYD212150
接線板 - 線至板 On Shore Technology Inc TERM BLOCK RISING CLAMP 21POS
ISL84544IP
接口 - 模擬開關，多路復用器，多路分解器 Intersil 8-DIP（0.300"，7.62mm） IC SWITCH SPDT 8DIP
P0300SBLRP
TVS - 晶閘管 Littelfuse Inc DO-214AA，SMB SIDACTOR BI 25V 250A DO-214AA
P227OA2B20CTAGBLK
按鈕 E-Switch SWITCH PUSHBUTTON DPDT 7A 125V

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