IRL1404 全國供應商、價格、PDF資料

IRL1404L詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 40V 160A TO-262

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：40V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：160A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4 毫歐 @ 95A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：140nC @ 5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：6600pF @ 25V

功率_最大：200W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA

供應商設備封裝：TO-262

包裝：管件

IRL1404LPBF詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 40V 160A TO-262

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：40V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：160A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4 毫歐 @ 95A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：140nC @ 5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：6600pF @ 25V

功率_最大：3.8W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA

供應商設備封裝：TO-262

包裝：管件

IRL1404PBF詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 40V 160A TO-220AB

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：40V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：160A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4 毫歐 @ 95A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：140nC @ 5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：6590pF @ 25V

功率_最大：200W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-220-3

供應商設備封裝：TO-220AB

包裝：管件

IRL1404S詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：40V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：160A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4 毫歐 @ 95A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：140nC @ 5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：6600pF @ 25V

功率_最大：200W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應商設備封裝：D2PAK

包裝：管件

IRL1404SPBF詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：40V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：160A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4 毫歐 @ 95A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：140nC @ 5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：6600pF @ 25V

功率_最大：3.8W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應商設備封裝：D2PAK

包裝：管件

IRL1404STRLPBF詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：標準

漏極至源極電壓333Vdss444：40V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：160A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4 毫歐 @ 95A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：140nC @ 5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：6600pF @ 25V

功率_最大：3.8W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應商設備封裝：D2PAK

包裝：帶卷 (TR)

• CY7C1041CV33-15VC

  存儲器    Cypress Semiconductor Corp    44-BSOJ    IC SRAM 4MBIT 15NS 44SOJ

• IXSH45N120B

  IGBT - 單路    IXYS    TO-247-3    IGBT 1200V 75A SCSOA TO-247

• IRL1404LPBF

  FET - 單    International Rectifier    TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA    MOSFET N-CH 40V 160A TO-262

• GRM1885C2A7R8DZ01D

  陶瓷    Murata Electronics North America    0603（1608 公制）    CAP CER 7.8PF 100V NP0 0603

• GRM1886R1H5R9DZ01D

  陶瓷    Murata Electronics North America    0603（1608 公制）    CAP CER 5.9PF 50V R2H 0603

• ISL84525IUZ-T

  接口 - 模擬開關，多路復用器，多路分解器    Intersil    10-TFSOP，10-MSOP（0.118"，3.00mm 寬）    IC SWITCH DUAL DPDT 10MSOP

• IXBOD1-38R

  TVS - 其它復合    IXYS    徑向    IC DIODE MODULE BOD 0.7A 3800V

• CY3206-PVI

  配件    Cypress Semiconductor Corp        MCU PSOC EMU POD FOR ALL SSOP PK

• IXSK80N60B

  IGBT - 單路    IXYS    TO-264-3，TO-264AA    IGBT 600V 80A SCSOA TO-264

• GRM1885C2A7R9DZ01D

  陶瓷    Murata Electronics North America    0603（1608 公制）    CAP CER 7.9PF 100V NP0 0603

• ISL84541CPZ

  接口 - 模擬開關，多路復用器，多路分解器    Intersil    8-DIP（0.300"，7.62mm）    IC SWITCH DUAL SPST 8DIP

• GRM1886R1H750JZ01D

  陶瓷    Murata Electronics North America    0603（1608 公制）    CAP CER 75PF 50V 5% R2H 0603

• IXBT24N170

  IGBT - 單路    IXYS    TO-268-3，D³Pak（2 引線+接片），TO-268AA    IGBT BIPO 1700V 60A 250W TO268

• CY3207-012

  配件    Cypress Semiconductor Corp        PSOC EMU POD FEET FOR 8-DIP

• CY7C1041CV33-20ZC

  存儲器    Cypress Semiconductor Corp    44-TSOP（0.400"，10.16mm 寬）    IC SRAM 4MBIT 20NS 44TSOP