IRL2505S 全國供應商、價格、PDF資料

IRL2505S詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 55V 104A D2PAK

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：55V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：104A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8 毫歐 @ 54A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：130nC @ 5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：5000pF @ 25V

功率_最大：3.8W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應商設備封裝：D2PAK

包裝：管件

IRL2505SPBF詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 55V 104A D2PAK

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：55V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：104A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8 毫歐 @ 54A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：130nC @ 5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：5000pF @ 25V

功率_最大：3.8W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應商設備封裝：D2PAK

包裝：管件

IRL2505STRL詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 55V 104A D2PAK

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：55V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：104A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8 毫歐 @ 54A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：130nC @ 5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：5000pF @ 25V

功率_最大：3.8W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應商設備封裝：D2PAK

包裝：帶卷 (TR)

IRL2505STRLPBF詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 55V 104A D2PAK

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：55V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：104A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8 毫歐 @ 54A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：130nC @ 5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：5000pF @ 25V

功率_最大：3.8W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應商設備封裝：D2PAK

包裝：剪切帶 (CT)

IRL2505STRLPBF詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 55V 104A D2PAK

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：55V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：104A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8 毫歐 @ 54A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：130nC @ 5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：5000pF @ 25V

功率_最大：3.8W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應商設備封裝：D2PAK

包裝：Digi-Reel®

IRL2505STRLPBF詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 55V 104A D2PAK

系列：HEXFET®

制造商：International Rectifier

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：55V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：104A

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8 毫歐 @ 54A，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：130nC @ 5V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：5000pF @ 25V

功率_最大：3.8W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

供應商設備封裝：D2PAK

包裝：帶卷 (TR)

• IXSK80N60B

  IGBT - 單路    IXYS    TO-264-3，TO-264AA    IGBT 600V 80A SCSOA TO-264

• CY7C1041CV33-20VXET

  存儲器    Cypress Semiconductor Corp    44-BSOJ    IC SRAM 4MBIT 20NS 44SOJ

• IRL1404STRLPBF

  FET - 單    International Rectifier    TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB    MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK

• GRM1885C2A7R9DZ01D

  陶瓷    Murata Electronics North America    0603（1608 公制）    CAP CER 7.9PF 100V NP0 0603

• ISL84541CPZ

  接口 - 模擬開關，多路復用器，多路分解器    Intersil    8-DIP（0.300"，7.62mm）    IC SWITCH DUAL SPST 8DIP

• GRM1886R1H750JZ01D

  陶瓷    Murata Electronics North America    0603（1608 公制）    CAP CER 75PF 50V 5% R2H 0603

• IXBT24N170

  IGBT - 單路    IXYS    TO-268-3，D³Pak（2 引線+接片），TO-268AA    IGBT BIPO 1700V 60A 250W TO268

• CY3207-012

  配件    Cypress Semiconductor Corp        PSOC EMU POD FEET FOR 8-DIP

• CY7C1041CV33-20ZC

  存儲器    Cypress Semiconductor Corp    44-TSOP（0.400"，10.16mm 寬）    IC SRAM 4MBIT 20NS 44TSOP

• GRM1885C2A8R0DZ01D

  陶瓷    Murata Electronics North America    0603（1608 公制）    CAP CER 8PF 100V NP0 0603

• GRM1886R1H7R4DZ01D

  陶瓷    Murata Electronics North America    0603（1608 公制）    CAP CER 7.4PF 50V R2H 0603

• CY3207-012

  配件    Cypress Semiconductor Corp        PSOC EMU POD FEET FOR 8-DIP

• ISL84541IU-T

  接口 - 模擬開關，多路復用器，多路分解器    Intersil    8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬）    IC SWITCH DUAL SPST 8MSOP

• IXBX25N250

  IGBT - 單路    IXYS    TO-247-3    IGBT 2500V 55A 300W PLUS247

• CY7C1041DV33-10BVJXI

  存儲器    Cypress Semiconductor Corp    48-VFBGA    IC SRAM 4MBIT 10NS 48VFBGA