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IRL2910L詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 55A TO-262; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：55A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：26 毫歐 @ 29A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：140nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3700pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA; 供應商設備封裝：TO-262; 包裝：管件

IRL2910PBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 55A TO-220AB; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：55A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：26 毫歐 @ 29A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：140nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3700pF @ 25V; 功率_最大：200W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應商設備封裝：TO-220AB; 包裝：管件

IRL2910SPBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：55A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：26 毫歐 @ 29A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：140nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3700pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D2PAK; 包裝：管件

IRL2910STRL詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：55A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：26 毫歐 @ 29A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：140nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3700pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

IRL2910STRLPBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：55A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：26 毫歐 @ 29A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：140nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3700pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

IRL2910STRLPBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：55A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：26 毫歐 @ 29A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：140nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3700pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D2PAK; 包裝：剪切帶 (CT)

KPSE0E22-21SDN
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 21POS WALL MNT SKT
IRL2505STRL
FET - 單 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 55V 104A D2PAK
KLNR100.V
保險絲 - 電氣，特制 Littelfuse Inc ???, ???? ?? FUSE F/A CLASS RK1 100A 250V
KPT02E12-3PA71
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 3POS W/PIN BOX
JB15HKH-6C
觸摸 NKK Switches 9-DIP 模塊 SWITCH TACT SPST-NO 0.125A 24V
KJ3T16N26PN
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 26POS REAR MT W/PIN
KP214N2611
壓力 Infineon Technologies 8-SMD，扁平引線 IC ANLG ABSOLUTE PRES SNSR DSOF8
KPT02E22-55P
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 55POS BOX W/PIN
KPSE0E22-55PDX
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 55POS WALL MNT W/PINS
JB15HKP
觸摸 NKK Switches 9-DIP 模塊 SWITCH TACT SPST-NO 0.125A 24V
KPT02E12-3PDV
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 3POS W/PIN BOX
KP216K1409
壓力 Infineon Technologies 8-SMD IC ANLG ABSOLUTE PRES SNSR DSOF8
KPSE0E22-55PDX
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 55POS WALL MNT W/PINS
KPT02E22-55PEW
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 55POS W/PIN BOX
KLNR400.X
保險絲 - 電氣，特制 Littelfuse Inc ???, ???? ?? FUSE F/A CLASS RK1 400A 250V

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